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트랜지스터 (5716)
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| irfr1n60apbf | 1.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||||
 | SIHP25N40D-GE3 | 3.0600 | | 417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP25 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHP25N40DGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 25A (TC) | 10V | 170mohm @ 13a, 10V | 5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 30V | 1707 pf @ 100 v | - | 278W (TC) | ||||
 | SIDR638DP-T1-RE3 | 2.2700 | | 9935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIDR638DP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 64.6a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.88mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 204 NC @ 10 v | +20V, -16V | 10500 pf @ 20 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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