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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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| irf9z10pbf-be3 | 1.6300 | | 862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z10 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf9z10pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 6.7A (TC) | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | ||||||
| SIHP28N60EF-GE3 | 3.2340 | | 2860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP28 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2714 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
 | SI5515DC-T1-GE3 | - | | 8255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5515 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 4.4a, 3a | 40mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| Sir112DP-T1-RE3 | 1.3800 | | 7139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir112 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 37.6A (TA), 133A (TC) | 4.5V, 10V | 1.96MOHM @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | +20V, -16V | 4270 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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