SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFI9634G Vishay Siliconix IRFI9634G -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9634 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI9634G 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 4.1A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 35W (TC)
SIHA5N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha5n80ae-ge3 1.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHA5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 29W (TC)
SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-GE3 2.0000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4630 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 6670 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI7116DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7116DN-T1-E3 2.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4836DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4836DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4836 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 17A (TA) 1.8V, 4.5V 3MOHM @ 25A, 4.5V 400MV @ 250µA (최소) 75 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4425BDY-T1-E3 1.2900
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4425 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.8A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 11.4A, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQS850EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3 1.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2021 pf @ 30 v - 33W (TC)
SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4752 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 43 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3W (TA), 6.25W (TC)
SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA814DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA814 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TC) 2.5V, 10V 61mohm @ 3.3a, 10V 1.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 340 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 1.0500
RFQ
ECAD 1756 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD5 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SI2333CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-BE3 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.1A (TA), 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9882 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8416 MOSFET (금속 (() 6 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 16A (TC) 1.2V, 4.5V 23mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 5V 1470 pf @ 4 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA20DP-T1-RE3 1.5800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira20 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 81.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRF820AL Vishay Siliconix IRF820AL -
RFQ
ECAD 5546 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF820 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820AL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80AE-GE3 4.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB17 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB17N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1260 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQD50N04_4M5LT4GE3 Vishay Siliconix SQD50N04_4M5LT4GE3 0.6985
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50n0n0n0n04_4m5lt4ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5860 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4565 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 6.6a, 5.6a 39mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V 625pf @ 20V -
SIRA66DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira66dp-t1-ge3 0.3959
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira66 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 66 NC @ 10 v +20V, -16V - 62.5W (TC)
IRF9630STRR Vishay Siliconix IRF9630STRR -
RFQ
ECAD 2811 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SUP70101EL-GE3 Vishay Siliconix SUP70101EL-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 9952 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70101 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 50 v - 375W (TC)
SI5402DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5402DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8823 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5402 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.9A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20 nc @ 10 v ± 20V - 1.3W (TA)
SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB068N60EF-GE3 5.5500
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB068 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB068N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 41A (TC) 10V 68mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2628 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7613DN-T1-GE3 1.0700
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7613 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 16V 2620 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52.1W (TC)
SIDR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-RE3 2.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42.8A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5130 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI4920DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4920DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4920 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V - 25mohm @ 6.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 23NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIHA14N60E-E3 Vishay Siliconix SIHA14N60E-E3 2.3700
RFQ
ECAD 2678 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA14 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRFR9120TRL Vishay Siliconix irfr9120trl -
RFQ
ECAD 7811 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQM100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 2.4700
RFQ
ECAD 7284 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고