전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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![]() | IRFI9634G | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI9634 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI9634G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 250 v | 4.1A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | siha5n80ae-ge3 | 1.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 742-SIHA5N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 30V | 321 pf @ 100 v | - | 29W (TC) | |||||
![]() | SI4630DY-T1-GE3 | 2.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4630 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 161 NC @ 10 v | ± 16V | 6670 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
![]() | SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 10.5A (TA) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 16.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SI4836DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4836 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 12 v | 17A (TA) | 1.8V, 4.5V | 3MOHM @ 25A, 4.5V | 400MV @ 250µA (최소) | 75 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.6W (TA) | |||||
![]() | SI4425BDY-T1-E3 | 1.2900 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4425 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.8A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 11.4A, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SQS850EN-T1_BE3 | 1.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 21.5mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2021 pf @ 30 v | - | 33W (TC) | |||||||
![]() | SI4752DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4752 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 10a, 10V | 2.2v @ 1ma | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 3W (TA), 6.25W (TC) | |||||
![]() | SIA814DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA814 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 61mohm @ 3.3a, 10V | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 12V | 340 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | ||||
![]() | SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD5 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
![]() | SI2333CDS-T1-BE3 | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.1A (TA), 7.1A (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1225 pf @ 6 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
![]() | SI6966DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI593333DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5933 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.7a | 110mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI8416DB-T1-GE3 | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8416 | MOSFET (금속 (() | 6 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 16A (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 5V | 1470 pf @ 4 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
![]() | siRA20DP-T1-RE3 | 1.5800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira20 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 81.7A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.58mohm @ 20a, 10V | 2.1V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | IRF820AL | - | ![]() | 5546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF820 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF820AL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||
![]() | SIHB17N80AE-GE3 | 4.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB17 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHB17N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 30V | 1260 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||
![]() | SQD50N04_4M5LT4GE3 | 0.6985 | ![]() | 2916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqd50n0n0n0n04_4m5lt4ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5860 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||
![]() | SI4565ADY-T1-E3 | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4565 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 6.6a, 5.6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
![]() | sira66dp-t1-ge3 | 0.3959 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira66 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 15a, 10V | 2.2v @ 1ma | 66 NC @ 10 v | +20V, -16V | - | 62.5W (TC) | ||||||
![]() | IRF9630STRR | - | ![]() | 2811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | SUP70101EL-GE3 | 2.9700 | ![]() | 9952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup70101 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | SI5402DC-T1-E3 | - | ![]() | 8823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5402 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.9A (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 20 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | SIHB068N60EF-GE3 | 5.5500 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB068 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHB068N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 41A (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 30V | 2628 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SI7613DN-T1-GE3 | 1.0700 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7613 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 16V | 2620 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 52.1W (TC) | |||||
![]() | SIDR626DP-T1-RE3 | 2.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 42.8A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 5130 pf @ 30 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||
![]() | SI4920DY-T1-E3 | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4920 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 23NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SIHA14N60E-E3 | 2.3700 | ![]() | 2678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA14 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1205 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | |||||
![]() | irfr9120trl | - | ![]() | 7811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | SQM100N02-3M5L_GE3 | 2.4700 | ![]() | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM100 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 10 v | - | 150W (TC) |
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