전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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![]() | IRF644S | - | ![]() | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF644S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
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![]() | IRFPC40 | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC40 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPC40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 6.8A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
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![]() | IRFUC20 | - | ![]() | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFUC20 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFUC20 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | SIRA18DP-T1-RE3 | 0.1904 | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira18 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 21.5 nc @ 10 v | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 v | - | 14.7W (TC) | ||||||
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![]() | SI4038DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4038 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 42.5A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 4070 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
![]() | Siz710DT-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-PowerPair ™ | Siz710 | MOSFET (금속 (() | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 20V | 16a, 35a | 6.8mohm @ 19a, 10V | 2.2V @ 250µA | 18NC @ 10V | 820pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
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![]() | SIA417DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA417 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 12A (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 5 v | ± 5V | 1600 pf @ 4 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
![]() | SI5858DU-T1-GE3 | - | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5858 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16 nc @ 8 v | ± 8V | 520 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2.3W (TA), 8.3W (TC) | ||||
![]() | sir876dp-t1-ge3 | - | ![]() | 1737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir876 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2.8V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1640 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
![]() | IRF740S | - | ![]() | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF740S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
![]() | SI1031X-T1-E3 | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
![]() | SI2308BDS-T1-GE3 | 0.5500 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.3A (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10V | 3V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 30 v | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) |
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