SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF644S Vishay Siliconix IRF644S -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFZ24S Vishay Siliconix IRFZ24S -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ24S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFPC40 Vishay Siliconix IRFPC40 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC40 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIHB180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 1.7861
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB180 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRFPF50PBF Vishay Siliconix IRFPF50PBF 6.9100
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPF50PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 900 v 6.7A (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFU310PBF Vishay Siliconix IRFU310PBF 1.4900
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU310 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu310pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA921 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 59mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP14N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP14N60E-GE3 2.3600
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRFR9020TRL Vishay Siliconix irfr9020trl -
RFQ
ECAD 2067 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SIHF9540S-GE3 Vishay Siliconix SIHF9540S-GE3 0.7826
RFQ
ECAD 6105 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF9540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF9540S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4972DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4972 MOSFET (금속 (() 3.1W, 2.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 10.8A, 7.2A 14.5mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 28NC @ 10V 1080pf @ 15V -
SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira99dp-t1-ge3 2.7400
RFQ
ECAD 8889 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira99 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 47.9A (TA), 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v +16V, -20V 10955 pf @ 15 v - 6.35W (TA), 104W (TC)
IRFUC20 Vishay Siliconix IRFUC20 -
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFUC20 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFUC20 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA18DP-T1-RE3 0.1904
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 33A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 14.7W (TC)
IRFI614G Vishay Siliconix IRFI614G -
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI614 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI614G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.1A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 23W (TC)
SI5855DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5855 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 8V Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA)
IRFR9120 Vishay Siliconix IRFR9120 -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9120 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6466ADQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6466 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 2.5V, 4.5V 14mohm @ 8.1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 27 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SIHA21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N80AEF-GE3 3.0700
RFQ
ECAD 957 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA21N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 250mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 30V 1511 pf @ 100 v - 33W (TC)
SQM120N04-1M4L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M4L_GE3 -
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 sqm120n - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 120A (TC)
IRFIBC20G Vishay Siliconix irfibc20g -
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibc20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4038 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 42.5A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 4070 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz710DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz710 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16a, 35a 6.8mohm @ 19a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 820pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-GE3 1.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 8a 18mohm @ 8.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33NC @ 10V 1200pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIA417DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA417DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9100 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA417 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 23mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 5V 1600 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5858DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9214 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5858 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 16 nc @ 8 v ± 8V 520 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2.3W (TA), 8.3W (TC)
SIR876DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1737 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir876 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1640 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRF740S Vishay Siliconix IRF740S -
RFQ
ECAD 7243 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF740S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI1031X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1031X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8733 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1031 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 155MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 300MW (TA)
SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.3A (TC) 4.5V, 10V 156mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 30 v - 1.09W (TA), 1.66W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고