SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7415DN-T1-GE3 1.6000
RFQ
ECAD 4985 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890DY-T1-E3 1.3466
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20 nc @ 5 v ± 25V - 2.5W (TA)
SI3483CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-BE3 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.1A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3 0.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA923 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 54mohm @ 3.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 25NC @ 8V 770pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI1039X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1039X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1039 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 870MA (TA) 1.8V, 4.5V 165mohm @ 870ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 6 NC @ 4.5 v ± 8V - 170MW (TA)
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3 0.3900
RFQ
ECAD 339 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SIHG22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N60E-GE3 4.4900
RFQ
ECAD 470 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SUP85N02-03-E3 Vishay Siliconix SUP85N02-03-E3 -
RFQ
ECAD 3975 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 20 v 85A (TC) 2.5V, 4.5V 3MOHM @ 30A, 4.5V 450MV @ 2MA (Min) 200 nc @ 4.5 v ± 8V 21250 pf @ 20 v - 250W (TC)
SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn-t1-ge3 0.8800
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS50 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 742-siss50dn-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 29.7A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRFD420 Vishay Siliconix IRFD420 -
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD420 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD420 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 370MA (TA) 10V 3ohm @ 220ma, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1W (TA)
SIHG35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG35N60E-GE3 6.6700
RFQ
ECAD 4693 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG35 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI4965DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4965DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4965 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 8V - 21mohm @ 8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUD50P04-23-GE3 Vishay Siliconix SUD50P04-23-GE3 -
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 8.2A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 16V 1880 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 45.4W (TC)
SI4967DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2784 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4967 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V - 23mohm @ 7.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SQJ474EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj474ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ474 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 45W (TC)
SQA411CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa411cejw-t1_ge3 0.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 6.46A (TC) 4.5V, 10V 155mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 15.5 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1046X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1046 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 606MA (TA) 1.8V, 4.5V 420mohm @ 606ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.49 NC @ 5 v ± 8V 66 pf @ 10 v - 250MW (TA)
SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE806 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFR024TRPBF Vishay Siliconix irfr024trpbf 1.2900
RFQ
ECAD 208 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활성 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4818DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4818DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1534 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4818 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.3a, 7a 22mohm @ 6.3a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 12NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SQ2348ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2348ES-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2348 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3W (TC)
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 19A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.4a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 6W (TC)
SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir464dp-t1-ge3 1.4200
RFQ
ECAD 475 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3545 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
IRFI9520G Vishay Siliconix IRFI9520G -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI9520G 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 5.2A (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 37W (TC)
VQ1004P Vishay Siliconix VQ1004p -
RFQ
ECAD 4690 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - - - VQ1004 - - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 830MA (TA) 5V, 10V - - ± 20V - -
SI7392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7392DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.75mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHA17N80E-GE3 4.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA17N80E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 35W (TC)
SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211p-t1_ge3 1.6100
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ211 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 33.6a (TC) 30mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB417EDK-T1-GE3 0.3969
RFQ
ECAD 7299 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB417 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 58mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 5V 565 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI2347DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2347DS-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI2347DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA), 5A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 705 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고