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![]() | SI7392DP-T1-GE3 | - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 9.75mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
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![]() | sqj211p-t1_ge3 | 1.6100 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ211 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 33.6a (TC) | 30mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||
![]() | SIB417EDK-T1-GE3 | 0.3969 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB417 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 58mohm @ 5.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 5V | 565 pf @ 4 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
![]() | SI2347DS-T1-BE3 | 0.4300 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SI2347DS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.8A (TA), 5A (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 705 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA), 1.7W (TC) |
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