SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5808dp-t1-Re3 1.4100
RFQ
ECAD 1063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5808 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 18.8A (TA), 66.8A (TC) 7.5V, 10V 157mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1210 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SI3442BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-GE3 0.2284
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 4a, 4.5v 1.8V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 12V 295 pf @ 10 v - 860MW (TA)
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
SIHD7N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET5-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF4800LDT-T1-GE3 1.5500
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 56.8W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 80V 10A (TA), 36A (TC) 19mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 23NC @ 10V 950pf @ 40v 기준
SIA425EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA425 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SI5443DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5443DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5443 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.6a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa413cejw-t1_ge3 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 SQA413 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.5A (TC) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 4.5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1350 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-BE3 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6562 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA), 1.6W (TC), 1.2W (TA), 1.7W (TC) 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 742-SI6562CDQ-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 5.7A (TA), 6.7A (TC), 5.1A (TA), 6.1A (TC) 22mohm @ 5.7a, 4.5v, 30mohm @ 5.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 23NC @ 10V, 51NC @ 10V 850pf @ 10V, 1200pf @ 10V -
IRFB16N60LPBF Vishay Siliconix IRFB16N60LPBF -
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 460mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 2720 ​​pf @ 25 v - 310W (TC)
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8809 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.94 (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
IRF620STRLPBF Vishay Siliconix irf620strlpbf 2.0400
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3 1.5600
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7106 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12.5A (TA) 2.5V, 4.5V 6.2mohm @ 19.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI3410DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3410DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3410 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.1W (TC)
SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir178DP-T1-RE3 1.7200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir178 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR178DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 100A (TA), 430A (TC) 2.5V, 10V 0.4mohm @ 30a, 10V 1.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v +12V, -8V 12430 pf @ 10 v - 6.3W (TA), 104W (TC)
IRF820S Vishay Siliconix IRF820S -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRFR9014TRR Vishay Siliconix irfr9014trr -
RFQ
ECAD 5215 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFZ34PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ34PBF-BE3 1.8800
RFQ
ECAD 904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ34PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 5756 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2336 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.2A (TC) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 3.8a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 560 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.8W (TC)
SIHG460B-GE3 Vishay Siliconix SIHG460B-GE3 2.4869
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 3094 pf @ 100 v - 278W (TC)
IRFBE20L Vishay Siliconix irfbe20l -
RFQ
ECAD 1628 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBE20 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irfbe20l 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3 0.5200
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 660ma 385mohm @ 660ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF9510SPBF Vishay Siliconix IRF9510SPBF 2.0400
RFQ
ECAD 996 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRC740PBF Vishay Siliconix IRC740PBF -
RFQ
ECAD 2473 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC740 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC740pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
SI3460DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7192 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.1A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 450mv @ 1ma (min) 20 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
IRFZ34 Vishay Siliconix IRFZ34 -
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ34 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 88W (TC)
IRFR1N60ATRLPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrlpbf 1.4800
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
SI3474DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3474DV-T1-BE3 0.4400
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.8A (TA), 3.8A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
IRF510PBF Vishay Siliconix IRF510PBF 1.1200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF510PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix 2N7002E-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 21 pf @ 5 v - 350MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고