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![]() | irfr1n60atrlpbf | 1.4800 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||||
![]() | SI3474DV-T1-BE3 | 0.4400 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2.8A (TA), 3.8A (TC) | 4.5V, 10V | 126MOHM @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 50 v | - | 2W (TA), 3.6W (TC) | |||||||
IRF510PBF | 1.1200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF510 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF510PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||||
![]() | 2N7002E-T1-GE3 | 0.4100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | TO-236 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 240MA (TA) | 10V | 3ohm @ 250ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 21 pf @ 5 v | - | 350MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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