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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
Sir642DP-T1-GE3	-	RFQ	4415	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir642	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 20V	4155 pf @ 20 v	-	4.8W (TA), 41.7W (TC)
SI4108DY-T1-GE3	-	RFQ	4287	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4108	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	75 v	20.5A (TC)		9.8mohm @ 13.8a, 10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 v		2100 pf @ 38 v	-
SIZF906BDT-T1-GE3	2.0200	RFQ	29	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	SIZF906	MOSFET (금속 (()	4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC)	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIZF906BDT-T1-GE3CT	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널), Schottky		30V	36A (TA), 105A (TC), 63A (TA), 257A (TC)		2.1mohm @ 15a, 10v, 680µohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250µA	49NC @ 10V, 165NC @ 10V		1630pf @ 15v, 5550pf @ 15v	-
SST5485-E3	-	RFQ	4758	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST5485		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1,000		n 채널								5pf @ 15V			25 v	4 ma @ 15 v	500 mV @ 10 NA
SI3430DV-T1-BE3	1.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3430	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	1.8A (TA)	6V, 10V	170mohm @ 2.4a, 10V	4.2V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
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SI1905DL-T1-E3	-	RFQ	7024	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1905	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	570ma		600mohm @ 570ma, 4.5V	450MV @ 250µA (최소)	2.3NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
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Sir164DP-T1-GE3	1.4600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir164	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	123 NC @ 10 v	± 20V	3950 pf @ 15 v	-	5.2W (TA), 69W (TC)
SI3127DV-T1-GE3	0.4800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3127	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	3.5A (TA), 13A (TC)	4.5V, 10V	89mohm @ 1.5a, 4.5v	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	833 pf @ 20 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
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SI6983DQ-T1-E3	-	RFQ	8098	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6983	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4.6a		24mohm @ 5.4a, 4.5v	1V @ 400µA	30NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI1967DH-T1-BE3	0.4100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1967	MOSFET (금속 (()	740MW (TA), 1.25W (TC)	SC-70-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	742-SI1967DH-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	1A (TA), 1.3A (TC)		490mohm @ 910ma, 4.5v	1V @ 250µA	4NC @ 10V		110pf @ 10V	-
Siz350DT-T1-GE3	1.1300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz350	MOSFET (금속 (()	3.7W (TA), 16.7W (TC)	8-power33 (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	18.5A (TA), 30A (TC)		6.75mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	20.3NC @ 10V		940pf @ 15V	-
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHB24N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	800 v	21A (TC)		184mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 v	± 30V	1836 PF @ 100 v	-	208W (TC)
SISS40DN-T1-GE3	0.5292	RFQ	3401	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS40	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	36.5A (TC)	6V, 10V	21mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	845 pf @ 50 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
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SI4154DY-T1-GE3	1.4900	RFQ	9625	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4154	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	36A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	4230 pf @ 20 v	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
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SIHP14N60E-BE3	2.3600	RFQ	978	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	13A (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 30V	1205 pf @ 100 v	-	147W (TC)
SI7405BDN-T1-E3	-	RFQ	7411	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7405	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	16A (TC)	1.8V, 4.5V	13.5A, 4.5V	1V @ 250µA	115 NC @ 8 v	± 8V	3500 pf @ 6 v	-	3.6W (TA), 33W (TC)
SI7540DP-T1-GE3	-	RFQ	8016	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7540	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		12V	7.6a, 5.7a		17mohm @ 11.8a, 4.5v	1.5V @ 250µA	17NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7852DP-T1-E3	2.5000	RFQ	7609	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	7.6A (TA)	6V, 10V	16.5mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA (Min)	41 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SQD40020E_GE3	1.6500	RFQ	8476	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD40020	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	2.33MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	8000 pf @ 25 v	-	107W (TC)
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SI3460DDV-T1-GE3	0.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3460	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	7.9A (TC)	1.8V, 4.5V	28mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 8 v	± 8V	666 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 2.7W (TC)
IRF9630S	-	RFQ	4438	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9630	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF9630S	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	200 v	6.5A (TC)	10V	800mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	3W (TA), 74W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²