SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ980AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ980AEP-T1_BE3 1.1900
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ980 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-SQJ980AEP-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 75V 17A (TC) 50mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 35v -
SQJ414EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ414EP-T1_BE3 0.9400
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj414ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 15 v - 45W (TC)
SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3469EV-T1_BE3 0.6200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3469ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 6.7a, 10V 2.5V @ 25µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 10 v - 5W (TC)
SIHP35N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-BE3 6.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP15N50E-BE3 2.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 14.5A (TC) 10V 280mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 30V 1162 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIDR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR680DP-T1-RE3 2.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR680DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 32.8A (TA), 100A (TC) 7.5V, 10V 2.9mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIHP25N60EFL-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N60EFL-BE3 4.7300
RFQ
 ECAD 942 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 146mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2274 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHA22N60AE-GE3 Vishay Siliconix SiHA22n60AE-ge3 3.6200
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1451 pf @ 100 v - 33W (TC)
SI3440ADV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3440ADV-T1-BE3 0.4700
RFQ
 ECAD 6506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3440ADV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.6A (TA), 2.2A (TC) 7.5V, 10V 380mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 20V 80 pf @ 75 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SI2323DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2323DDS-T1-BE3 0.5900
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2323DDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.1A (TA), 5.3A (TC) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.1a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V 1160 pf @ 10 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SIS4604DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS4604DN-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS4604 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14.6A (TA), 44.4A (TC) 7.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 960 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 33.7W (TC)
SIR4608LDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir4608LDP-T1-GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir4608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 13.3A (TA), 43.4A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 905 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH250N60EF-T1GE3 4.3200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 915 pf @ 100 v - 89W (TC)
SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5710DP-T1-RE3 1.4300
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 7.8A (TA), 26.8A (TC) 7.5V, 10V 31.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 770 pf @ 75 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SISS5110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5110DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS5110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 13.4A (TA), 46.4A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 25V 920 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SQ2309CES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2309CES-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 370mohm @ 1.25a, ​​10V 2.5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 25 v - 2W (TC)
SQS120ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS120ELNW-T1_GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 192a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 4590 pf @ 25 v - 119W (TC)
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA471DJ-T1-GE3 0.5900
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA471 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12.9A (TA), 30.3A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27.8 NC @ 10 v +16V, -20V 1170 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF20DN-T1-GE3 1.5900
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 SISF20 MOSFET (금속 (() 5.2W (TA), 69.4W (TC) PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 14A (TA), 52A (TC) 13mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 33NC @ 10V 1290pf @ 30V -
SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS73DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS73 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 4.4A (TA), 16.2A (TC) 10V 125mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 719 pf @ 75 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SIHLL110TR-GE3 Vishay Siliconix sihll110tr-ge3 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SIHLL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFZ34SPBF Vishay Siliconix IRFZ34SPBF 1.5800
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80E-GE3 3.8100
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHD2N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHD2N80AE-GE3 0.5174
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 2266-SIHD2N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.9A (TC) 10V 2.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SIHG22N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N60EF-GE3 4.2500
RFQ
 ECAD 456 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 182mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja78ep-t1_ge3 1.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA78 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 72A (TC) 10V 5.3mohm @ 10a, 10V 3.3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS128 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 10.2A (TA), 33.7A (TC) 4.5V, 10V 15.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix SUP60020E-GE3 3.1100
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP60020 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 20V 10680 pf @ 40 v - 375W (TC)
SQM50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQM50034EL_GE3 2.1900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQJA36EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja36ep-t1_ge3 1.9800
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA36 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 742-sqja36ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 350A (TC) 10V 1.24mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6636 pf @ 25 v - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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