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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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| SI1902DL-T1-GE3 | 0.5200 | | 127 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (금속 (() | 270MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 660ma | 385mohm @ 660ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.2NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| IRF9510SPBF | 2.0400 | | 996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9510 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | ||||||
 | IRC740PBF | - | | 2473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC740 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC740pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | 현재 현재 | 125W (TC) | |||
| SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5v | 450mv @ 1ma (min) | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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