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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI2304BDS-T1-E3	0.4700	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2304	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 v	± 20V	225 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
irlr110tr	-	RFQ	5752	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR110	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	4.3A (TC)	4V, 5V	540mohm @ 2.6a, 5v	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 v	± 10V	250 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7460DP-T1-E3	2.2000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7460	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	11A (TA)	4.5V, 10V	9.6mohm @ 18a, 10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
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SI5915BDC-T1-E3	-	RFQ	3698	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5915	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	4a		70mohm @ 3.3a, 4.5v	1V @ 250µA	14nc @ 8v		420pf @ 4v	논리 논리 게이트
SQ2348ES-T1_BE3	0.6700	RFQ	16	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2348	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	8A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	540 pf @ 15 v	-	3W (TC)
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SI4102DY-T1-GE3	-	RFQ	4349	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4102	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	3.8A (TC)	6V, 10V	158mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	370 pf @ 50 v	-	2.4W (TA), 4.8W (TC)
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SIHA120N60E-GE3	5.2500	RFQ	3707	Vishay Siliconix	이자형	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA120	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	120mohm @ 12a, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	1562 pf @ 100 v	-	34W (TC)
SI4408DY-T1-E3	2.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4408	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	14A (TA)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 21a, 10V	1V @ 250µA (Min)	32 NC @ 4.5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
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SI2319DS-T1-GE3	0.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2319	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	40 v	2.3A (TA)	10V	82mohm @ 3a, 10V	3V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	470 pf @ 20 v	-	750MW (TA)
SQSA82CENW-T1_GE3	0.6700	RFQ	30	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8W		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	12A (TC)	4.5V, 10V	46MOHM @ 3.5A, 10V	2.5V @ 250µA	9.6 NC @ 10 v	± 20V	580 pf @ 25 v	-	27W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²