SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRLR120TRR Vishay Siliconix IRLR120TRR -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix IRFZ48RSPBF 3.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ48RSPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRF840ASTRR Vishay Siliconix IRF840AST -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF644STRRPBF Vishay Siliconix IRF644STRRPBF 3.7500
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIR872ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir872ADP-T1-RE3 2.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir872 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 53.7a (TC) 7.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1286 pf @ 75 v - 104W (TC)
IRFR9014NTRR Vishay Siliconix irfr9014ntrr -
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7806ADN-T1-E3 1.4600
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7806 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3 2.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4488 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 3.5A (TA) 10V 50mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA (Min) 36 nc @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1563AEH-T1_GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 841 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1563 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 850MA (TC) 280mohm @ 850ma, 4.5v, 575mohm @ 800ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.25nc @ 4.5v, 1.33nc @ 4.5v 89pf @ 10v, 84pf @ 10v -
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8817DB-T2-E1 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8817 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.1A (TA) 1.5V, 4.5V 76mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 8 v ± 8V 615 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRF9Z34PBF Vishay Siliconix IRF9Z34PBF 1.8300
RFQ
 ECAD 745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z34PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
SIHH21N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH21N65E-T1-GE3 3.3167
RFQ
 ECAD 8400 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH21 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 20.3A (TC) 10V 170mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 30V 2404 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5457DC-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5457 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 36mohm @ 4.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 5.7W (TC)
IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z14PBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF9Z14PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SIHG16N50C-E3 Vishay Siliconix SIHG16N50C-E3 4.5900
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG16 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI7392ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7392ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SIHP23N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP23N60E-BE3 3.2300
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 2418 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFR120PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3 1.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr120pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4483EY-T1_GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 5274 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 15 v - 7W (TC)
SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5915BDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5915 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 4a 70mohm @ 3.3a, 4.5v 1V @ 250µA 14nc @ 8v 420pf @ 4v 논리 논리 게이트
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4102DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4102 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 3.8A (TC) 6V, 10V 158mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 370 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 4.8W (TC)
SI4884BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4884BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7345 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4884 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16.5A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1525 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SQ2348ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2348ES-T1_BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2348 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3W (TC)
IRFIZ48GPBF Vishay Siliconix irfiz48gpbf 3.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfiz48gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA120N60E-GE3 5.2500
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA120 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 34W (TC)
SI4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4408DY-T1-E3 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4408 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA (Min) 32 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
IRL540 Vishay Siliconix IRL540 -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL540 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3419AEEV-T1_GE3 0.7000
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6.9A (TC) 4.5V, 10V 61mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.5 nc @ 4.5 v ± 12V 975 pf @ 20 v - 5W (TC)
SQ4532AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_BE3 0.8700
RFQ
 ECAD 629 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4532 MOSFET (금속 (() 3.3W (TC) 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7.3A (TC), 5.3A (TC) 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 250µA 7.8nc @ 10v, 10.2nc @ 10v 535pf @ 15v, 528pf @ 15v -
SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ504 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 8a, 10v, 17mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V, 85NC @ 10V 1900pf @ 25v, 4600pf @ 25v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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