- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG11N80AE-GE3 | 2.7600 |  | 3565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG11 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG11N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 804 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||
 | SI4965DY-T1-GE3 | - | | 6333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4965 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 8V | - | 21mohm @ 8a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SUD50P08-26-E3 | - | | 1385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 80 v | 50A (TC) | 10V | 26mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5160 pf @ 40 v | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
 | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB085 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 184W (TC) | ||||
 | irfr11n25d | - | | 3930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR11 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irfr11n25d | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 250 v | - | - | - | - | - | ||||||||
 | irfibf20g | - | | 3824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfibf20 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfibf20g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 1.2A (TC) | 10V | 8ohm @ 720ma, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
 | SI1499DH-T1-E3 | 0.6700 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1499 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 1.6A (TC) | 1.2V, 4.5V | 78mohm @ 2a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 5V | 650 pf @ 4 v | - | 2.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
| SI4056DY-T1-GE3 | 0.9100 | | 1370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4056 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 11.1A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 15a, 10V | 2.8V @ 250µA | 29.5 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | sqa604cejw-t1_ge3 | 0.5300 | | 1968 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak®SC-70W-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 5.63A (TC) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.8 nc @ 10 v | ± 20V | 445 pf @ 25 v | - | 13.6W (TC) | ||||||
 | SIB914DK-T1-GE3 | - | | 8727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | SIB914 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 8V | 1.5A | 113mohm @ 2.5a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 2.6NC @ 5V | 125pf @ 4v | - | ||||||
 | IRLZ24 | - | | 6617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRLZ24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLZ24 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
 | Sir872ADP-T1-RE3 | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir872 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 53.7a (TC) | 7.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 1286 pf @ 75 v | - | 104W (TC) | ||||||
| IRFR120PBF-BE3 | 1.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irfr120pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | irfr9220pbf-be3 | 1.0490 | | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 742-irfr9220pbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | IRF9Z14PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z14 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRF9Z14PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 6.7A (TC) | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | ||||||
| SIHG16N50C-E3 | 4.5900 | | 5230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG16 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 30V | 1900 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||
 | SIHP23N60E-BE3 | 3.2300 | | 999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 23A (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 30V | 2418 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | |||||||
| IRFPC60PBF | 7.1300 | | 334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPC60PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | ||||
| irfr214trlpbf | 0.6159 | | 9879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 2.2A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFU9110PBF | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9110 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfu9110pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRF820ASPBF | 1.6800 | | 993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF820 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF820ASPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
 | SUD90330E-BE3 | 1.5800 | | 8916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD90330 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-sud90330e-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 35.8A (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1172 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | |||||
 | SIA430DJ-T1-GE3 | - | | 3481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA430 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | SI2333DS-T1-BE3 | 0.8600 | | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI23DS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1100 pf @ 6 v | - | 750MW (TA) | ||||||
 | SI5920DC-T1-GE3 | - | | 9081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5920 | MOSFET (금속 (() | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 8V | 4a | 32mohm @ 6.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12NC @ 5V | 680pf @ 4v | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1062 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 530MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 420mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.7 NC @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 220MW (TA) | ||||
| IRF540SPBF | 2.3500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF540 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF540SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| SI4818DY-T1-GE3 | - | | 1534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4818 | MOSFET (금속 (() | 1W, 1.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.3a, 7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 12NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9926 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 8a | 18mohm @ 8.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SI4539ADY-T1-GE3 | - | | 7144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4539 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 4.4a, 3.7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)