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트랜지스터 (5716)
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 | SI8824EDB-T2-E1 | 0.4300 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8824 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.1A (TA) | 1.2V, 4.5V | 75mohm @ 1a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 5V | 400 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||
 | SI1405BDH-T1-GE3 | - | | 4668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 1.6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 5.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 305 pf @ 4 v | - | 1.47W (TA), 2.27W (TC) | ||||
| SI4330DY-T1-GE3 | - | | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4330 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.6a | 16.5mohm @ 8.7a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIHU4N80E-GE3 | 0.8984 | | 9508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB | sihu4 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 4.3A (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 622 pf @ 100 v | - | 69W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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