SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH240N60E-T1-GE3 2.8000
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH240 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH240N60E-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 89W (TC)
SI4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4401DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4401 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 8.7A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 50 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA436DJ-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA436 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 9.4mohm @ 15.7a, 4.5v 800MV @ 250µA 25.2 NC @ 5 v ± 5V 1508 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI4914DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4914DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6056 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4914 MOSFET (금속 (() 1.1W, 1.16W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.5A, 5.7A 23mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA50DP-T1-RE3 1.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira50 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 62.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 194 NC @ 10 v +20V, -16V 8445 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 100W (TC)
SIHP12N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP12N65E-GE3 2.3700
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 1224 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8729 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4804 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRF830STRL Vishay Siliconix irf830strl -
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 12V 970 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SIHP085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP085N60EF-GE3 5.9900
RFQ
ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP085 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP085N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 84mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2733 PF @ 100 v - 184W (TC)
IRFIBC40G Vishay Siliconix IRFIBC40G -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irfibc40g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7317DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7317 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 2.8A (TC) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 30V 365 pf @ 75 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI3456BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3456BDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.1W (TA)
SI5475BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5475BDC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8312 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5475 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 5.6a, 4.5v 1V @ 250µA 40 nc @ 8 v ± 8V 1400 pf @ 6 v - 2.5W (TA), 6.3W (TC)
SQP90P06-07L_GE3 Vishay Siliconix SQP90P06-07L_GE3 -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 14280 pf @ 25 v - 300W (TC)
SIHD3N50DT4-GE3 Vishay Siliconix SIHD3N50DT4-GE3 0.3563
RFQ
ECAD 8362 0.00000000 Vishay Siliconix 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3 1.3600
RFQ
ECAD 6289 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS588DN-T1-GE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 80 v 16.9A (TA), 58.1A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 28.5 nc @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA477 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 8V 3050 pf @ 6 v - 19W (TC)
SI4654DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4654DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7223 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4654 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 28.6A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 16V 3770 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.9W (TC)
SI4952DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4952DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4952 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13v 논리 논리 게이트
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix SST5484-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 1 ma @ 15 v 300 MV @ 10 NA
SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340ADT-T1-GE3 1.1100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-Siz340ADT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 15.7A (TA), 33.4A (TC), 25.4A (TA), 69.7A (TC) 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250µA 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v -
SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3476DV-T1-BE3 0.4700
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3476DV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 3.5A (TA), 4.6A (TC) 4.5V, 10V 93mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 195 pf @ 40 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
2N4339-E3 Vishay Siliconix 2N4339-E3 -
RFQ
ECAD 8037 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4339 300MW TO-206AA (TO-18) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 7pf @ 15V 50 v 500 µa @ 15 v 600 mV @ 100 NA
IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9630PBF-BE3 1.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9630pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 6.5A (TC) 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQJ138EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138ep-t1_ge3 1.6400
RFQ
ECAD 1233 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ138 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj138ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 330A (TC) 10V 1.8mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 4715 pf @ 25 v - 312W (TC)
2N4117A Vishay Siliconix 2N4117A -
RFQ
ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4117 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 30 µa @ 10 v 600 MV @ 1 NA
IRF9620L Vishay Siliconix IRF9620L -
RFQ
ECAD 6745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9620L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - -
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7911 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A 51mohm @ 5.7a, 4.5v 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고