SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7414AEN-T1_BE3 -
RFQ
ECAD 6320 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 742-SQ7414AEN-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 30 v - 62W (TC)
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9312 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SIS612 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.9mohm @ 14a, 4.5v 1.2v @ 1ma 70 nc @ 10 v ± 12V 2060 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4845DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4845DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2208 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4845 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 2.7A (TC) 2.5V, 4.5V 2A @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 312 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.75W (TA), 2.75W (TC)
SIR168DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir168DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir168 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 15 v - 5W (TA), 34.7W (TC)
SI7882DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7882DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 13A (TA) 2.5V, 4.5V 5.5mohm @ 17a, 4.5v 1.4V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.9W (TA)
SQ2303ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_BE3 0.5300
RFQ
ECAD 658 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SQ2303ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 170mohm @ 1.7a, 10V 2.5V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v - 1.9W (TC)
SI3585DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3585 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2A, 1.5A 125mohm @ 2.4a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 3.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
2N4857JTXL02 Vishay Siliconix 2N4857JTXL02 -
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4857 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N62ET1-GE3 0.6924
RFQ
ECAD 9883 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 620 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS435DNT-T1-GE3 0.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS435 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 30A (TC) 1.8V, 4.5V 5.4mohm @ 13a, 4.5v 900MV @ 250µA 180 NC @ 8 v ± 8V 5700 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
SQS181ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS181ELNW-T1_GE3 1.1200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 44A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2771 pf @ 25 v - 119W (TC)
SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5499 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 36mohm @ 5.1a, 4.5v 800MV @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 5V 1290 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 6.2W (TC)
SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3 0.9500
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4590 - 2.4W, 3.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 100V 3.4a, 2.8a 57mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 11.5NC @ 10V 360pf @ 50V -
SI1026X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7760 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1026 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA 1.4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 30pf @ 25V 논리 논리 게이트
SUM23N15-73-E3 Vishay Siliconix SUM23N15-73-E3 -
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum23 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 23A (TC) 6V, 10V 73mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1290 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 100W (TC)
SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj420ep-t1_ge3 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ420 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.7a, 10v 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRF530STRLPBF Vishay Siliconix IRF530STRLPBF 1.7300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz902DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz902 MOSFET (금속 (() 29W, 66W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16A 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFR320PBF-BE3 Vishay Siliconix irfr320pbf-be3 0.8122
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr320pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIA936EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA936EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA936 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 34mohm @ 4a, 4.5v 1.3V @ 250µA 17nc @ 10V - 논리 논리 게이트
SQJ160EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ160EP-T1_GE3 1.9300
RFQ
ECAD 5784 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj160ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 362A (TC) 10V 2MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 119 NC @ 10 v ± 20V 6697 pf @ 25 v - 500W (TC)
SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_GE3 -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 25 v - 53W (TC)
IRFI710G Vishay Siliconix irfi710g -
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI710 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfi710g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 1.6A (TA) - 4V @ 250µA - -
SI7668ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7668ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 12V 8820 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir472DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2862 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir472 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 3.9W (TA), 29.8W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS448 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491edy-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4491 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 17.3A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 6.9W (TC)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 102mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1804 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고