SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2N6661JTX02 Vishay Siliconix 2N6661JTX02 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7633DP-T1-GE3 1.6700
RFQ
ECAD 4392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7633 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 9500 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1012CR-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 630MA (TA) 1.5V, 4.5V 396mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 8 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 240MW (TA)
SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4056DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4056 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 11.1A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 250µA 29.5 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRL530PBF Vishay Siliconix irl530pbf 1.6900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl530pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 88W (TC)
IRFIBF20G Vishay Siliconix irfibf20g -
RFQ
ECAD 3824 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibf20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibf20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.2A (TC) 10V 8ohm @ 720ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-E3 0.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.2V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG11N80AE-GE3 2.7600
RFQ
ECAD 3565 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG11 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG11N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 804 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI3443CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-E3 0.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3443 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SI4965DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4965DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4965 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 8V - 21mohm @ 8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
V30443-T1-GE3 Vishay Siliconix V30443-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4810 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30443 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8091 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4814 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF840ASPBF Vishay Siliconix IRF840ASPBF 2.5500
RFQ
ECAD 940 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7817 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4500 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 20V 6.6a, 3.8a 20mohm @ 9.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3983DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3983DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3983 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.1a 110mohm @ 2.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946aey-t1_ge3 -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4946 MOSFET (금속 (() 4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 7a 4.5A, 10V 40mohm 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 750pf @ 25v 논리 논리 게이트
SI4408DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4408DY-T1-GE3 1.6758
RFQ
ECAD 8886 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4408 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA (Min) 32 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI4668DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4668 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.2A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 1654 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
IRFZ14 Vishay Siliconix IRFZ14 -
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ14 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SIHH100N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3 3.6787
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH100 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 100mohm @ 13.5a, 10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 100 v - 174W (TC)
SIHA18N60E-E3 Vishay Siliconix SiHA18N60E-E3 1.6758
RFQ
ECAD 4998 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA18 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850ADP-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 5915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.3A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 35.7W (TC)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 26A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 64W (TC)
SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira90dp-t1-Re3 1.5500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira90 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 153 NC @ 10 v +20V, -16V 10180 pf @ 15 v - 104W (TC)
IRF9Z34STRL Vishay Siliconix irf9z34strl -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI2307BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-GE3 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1058 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.3a, 4.5v 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 12V 380 pf @ 10 v - 236MW (TA)
IRF9530STRRPBF Vishay Siliconix IRF9530STRRPBF 1.5619
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1031R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1031 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 140MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
IRFD014PBF Vishay Siliconix IRFD014PBF 1.3900
RFQ
ECAD 248 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD014PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 10V 200mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고