SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4831DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4831DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7337 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4831 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20 nc @ 5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_BE3 0.7600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3410ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 5W (TC)
SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG21N80AE-GE3 4.7800
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG21 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHG21N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 17.4A (TC) 10V 235mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 1388 pf @ 100 v - 32W (TC)
SI4848DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4848DY-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4848 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 2.7A (TA) 6V, 10V 85mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 250µA (Min) 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJQ980EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ980EL-T1_GE3 2.6800
RFQ
 ECAD 3770 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ980 MOSFET (금속 (() 187W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 80V 36A (TC) 13.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 36NC @ 10V 1995pf @ 40v -
SUD35N10-26P-T4GE3 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3 0.9951
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD35 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 35A (TC) 7V, 10V 26mohm @ 12a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 12 v - 8.3W (TA), 83W (TC)
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix IRLIZ24GPBF 0.4772
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz24 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 37W (TC)
IRFP31N50L Vishay Siliconix IRFP31N50L -
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP31 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP31N50L 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 31A (TC) 10V 180mohm @ 19a, 10V 5V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 30V 5000 pf @ 25 v - 460W (TC)
SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N60E-GE3 6.6800
RFQ
 ECAD 6903 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3508 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2316DS-T1-E3 0.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.4a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 7 nc @ 10 v ± 20V 215 pf @ 15 v - 700MW (TA)
IRL540PBF-BE3 Vishay Siliconix IRL540PBF-BE3 2.5100
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl540pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI4446DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4446DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4446 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 5.2a, 10V 1.6V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 700 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_GE3 1.0100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI4866DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4866DY-T1-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4866 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 11A (TA) 2.5V, 4.5V 5.5mohm @ 17a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 30 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3 1.0600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS52 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS52DN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 47.1A (TA), 162a (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 65 nc @ 10 v +16V, -12V 2950 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss67dn-t1-ge3 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS67 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 25V 4380 pf @ 15 v - 65.8W (TC)
SIRS4302DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4302DP-T1-GE3 2.9600
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4302 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 87A (TA), 478A (TC) 4.5V, 10V 0.57mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 230 nc @ 10 v +20V, -16V 10150 pf @ 15 v - 6.9W (TA), 208W (TC)
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n62e-ge3 1.6500
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 620 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQ4470EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4470EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4470 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 16A (TC) 6V, 10V 12MOHM @ 6A, 10V 3.5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3165 pf @ 25 v - 7.1W (TC)
SIHFBF30S-GE3 Vishay Siliconix SIHFBF30S-GE3 1.8700
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFB30S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 100v 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 4096 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1922 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.3a 198mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.5nc @ 8v - 논리 논리 게이트
2N6661-2 Vishay Siliconix 2N6661-2 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7178DP-T1-GE3 3.0300
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7178 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2870 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
2N6661JTXP02 Vishay Siliconix 2N6661JTXP02 -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRF830BPBF-BE3 Vishay Siliconix IRF830BPBF-BE3 1.1200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf830bpbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5.3A (TC) 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 325 pf @ 100 v - 104W (TC)
SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir186DP-T1-RE3 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir186 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 23A (TA), 60A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 3.6V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 30 v - 5W (TA), 57W (TC)
SI1317DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1317 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TC) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 272 pf @ 10 v - 500MW (TC)
SI4404DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4404DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5046 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4404 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SQ7414AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7414AEN-T1_BE3 -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 742-SQ7414AEN-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 30 v - 62W (TC)
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SIS612 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 4.5V 3.9mohm @ 14a, 4.5v 1.2v @ 1ma 70 nc @ 10 v ± 12V 2060 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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