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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
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SIA445EDJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	285	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA445	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	2.5V, 4.5V	16.5mohm @ 7a, 4.5v	1.2V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 12V	2130 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
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irfl9110tr	-	RFQ	7383	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL9110	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	1.1A (TC)	10V	1.2ohm @ 660ma, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
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IRFD010	-	RFQ	1858	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD010	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFD010	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	50 v	1.7A (TC)	10V	200mohm @ 860ma, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 25 v	-	1W (TC)
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IRFI640GPBF	3.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI640	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFI640GPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	9.8A (TC)	10V	180mohm @ 5.9a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	40W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²