SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR120TRLPBF Vishay Siliconix irfr120trlpbf 1.5900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUD50N025-06P-E3 Vishay Siliconix SUD50N025-06P-E3 -
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 25 v 78A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 12 v - 10.7W (TA), 65W (TC)
SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3 0.8400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS27 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 5250 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI3446ADV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3446ADV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1627 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3446 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 37mohm @ 5.8a, 4.5v 1.8V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 640 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1926DL-T1-E3 0.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1926 MOSFET (금속 (() 510MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 370ma 1.4ohm @ 340ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 18.5pf @ 30V 논리 논리 게이트
IRLR110TRPBF Vishay Siliconix irlr110trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7309DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7309 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ980AEP-T1_GE3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ980 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 75V 17A (TC) 50mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 35v -
IRFRC20TRL Vishay Siliconix irfrc20trl -
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA32DP-T1-RE3 1.0600
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira32 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 83 NC @ 10 v +16V, -12V 4450 pf @ 10 v - 65.7W (TC)
SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-E3 1.3041
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4451 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6L 듀얼 SIB900 MOSFET (금속 (() 3.1W PowerPak® SC-75-6L 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.5A 225mohm @ 1.6a, 4.5v 1V @ 250µA 1.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SUM110N04-03-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-03-E3 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 2.8mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 8250 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
IRF644N Vishay Siliconix IRF644N -
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF644 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644N 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp-t1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 35.4A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 104W (TC)
SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1032 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 300MW (TA)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB053N60E-GE3 6.3800
RFQ
ECAD 912 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB053N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 54mohm @ 26.5a, 10V 5V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 3722 pf @ 100 v - 278W (TC)
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 11mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25v -
SIRA00DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA00DP-T1-RE3 0.7903
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 v +20V, -16V 11700 pf @ 15 v - 104W (TC)
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 0.5600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8472 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.3A (TA) 1.5V, 4.5V 44mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18 nc @ 8 v ± 8V 630 pf @ 10 v - 780MW (TA)
SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA445EDJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 285 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA445 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 16.5mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 12V 2130 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SUM33N20-60P-E3 Vishay Siliconix SUM33N20-60P-E3 -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum33 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 33A (TC) 10V, 15V 59mohm @ 20a, 15V 4.5V @ 250µA 113 NC @ 15 v ± 25V 2735 pf @ 25 v - 3.12W (TA), 156W (TC)
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix SIB412DK-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 6.6a, 4.5v 1V @ 250µA 10.16 NC @ 5 v ± 8V 535 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA439EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA439 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 28A (TC) 1.8V, 4.5V 16.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 69 NC @ 8 v ± 8V 2410 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRF737LCS Vishay Siliconix IRF737LCS -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF737 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF737LCS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 6.1A (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - -
SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2343DS-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2343 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 10V 53mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFBC30AS Vishay Siliconix IRFBC30AS -
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC30AS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE864DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3559 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (U) SIE864 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (U) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고