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트랜지스터 (5716)
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| SI7356ADP-T1-GE3 | - | | 6539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 6215 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | irfrc20trpbf | 1.2900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ570 | MOSFET (금속 (() | 27W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 100V | 15A (TC), 9.5A (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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