SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
IRFP254 Vishay Siliconix IRFP254 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP254 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP254 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI6562DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6562DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3826 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6562 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V - 30mohm @ 4.5a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 25NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFU9110 Vishay Siliconix IRFU9110 -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9110 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF640STRR Vishay Siliconix IRF640STRR -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6433BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6433 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 4.8A, 4.5V 40mohm 1.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SIHF6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF6N65E-GE3 1.2028
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF6 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 31W (TC)
SIHA22N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHA22n60e-ge3 3.9000
RFQ
ECAD 997 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 35W (TC)
SI7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7120DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7120 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.3A (TA) 19mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v -
SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA150N60E-GE3 3.6100
RFQ
ECAD 9374 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA150 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHA150N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1514 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5459DU-T1-GE3 0.6100
RFQ
ECAD 901 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5459 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 52mohm @ 6.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 12V 665 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 10.9W (TC)
SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4896DY-T1-GE3 1.9500
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4896 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6.7A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 NC @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SISA18BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18BDN-T1-GE3 0.7000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8pt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 36.8W (TC)
SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 7553 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir644 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SIHF8N50L-E3 Vishay Siliconix SIHF8N50L-E3 -
RFQ
ECAD 6750 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF8 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 1ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 0 v ± 30V 873 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1417 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 2.7A (TA) 1.8V, 4.5V 85mohm @ 3.3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1W (TA)
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7114ADN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
SIHP10N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP10N40D-E3 0.8761
RFQ
ECAD 1020 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 526 pf @ 100 v - 147W (TC)
SIHH24N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH24N65EF-T1-GE3 4.2342
RFQ
ECAD 7509 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH24 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 100 v - 202W (TC)
2N6660JAN02 Vishay Siliconix 2N6660JAN02 -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 - - 2N6660 - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
SQD90P04-9M4L_GE3 Vishay Siliconix SQD90P04-9M4L_GE3 2.7600
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD90 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 6675 pf @ 20 v - 136W (TC)
SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHP8N50D-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SST204-T1-E3 Vishay Siliconix SST204-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8684 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST204 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 4.5pf @ 15V 25 v 200 µa @ 15 v 300 MV @ 10 NA
SST4119-T1-E3 Vishay Siliconix SST4119-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4656 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4119 350 MW TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
SST5486-E3 Vishay Siliconix SST5486-E3 -
RFQ
ECAD 7733 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5486 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 8 ma @ 15 v 2 V @ 10 NA
SST5486-T1-E3 Vishay Siliconix SST5486-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8951 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5486 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 8 ma @ 15 v 2 V @ 10 NA
U290-E3 Vishay Siliconix U290-E3 -
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 U290 500MW TO-206AC (TO-52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 160pf @ 0v 30 v 500 ma @ 10 v 4 v @ 3 na 3 옴
2N4118A-2 Vishay Siliconix 2N4118A-2 -
RFQ
ECAD 5189 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4118 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 3pf @ 10V 40 v 80 µa @ 10 v 1 v @ 1 na
2N4338-E3 Vishay Siliconix 2N4338-E3 -
RFQ
ECAD 8878 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4338 300MW TO-206AA (TO-18) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 7pf @ 15V 50 v 200 µa @ 15 v 300 mV @ 100 NA
2N4339-2 Vishay Siliconix 2N4339-2 -
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4339 300MW TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 7pf @ 15V 50 v 500 µa @ 15 v 600 mV @ 100 NA
2N4856JAN02 Vishay Siliconix 2N4856JAN02 -
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4856 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고