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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 저항 -rds (on) |
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![]() | IRFP254 | - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP254 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP254 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||||||
SI6562DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6562 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||
![]() | IRFU9110 | - | ![]() | 5198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
![]() | IRF640STRR | - | ![]() | 5661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||||||
![]() | SI6433BDQ-T1-E3 | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6433 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 4.8A, 4.5V 40mohm | 1.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||||||
![]() | SIHF6N65E-GE3 | 1.2028 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 820 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | |||||||||
![]() | SiHA22n60e-ge3 | 3.9000 | ![]() | 997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | |||||||||||
![]() | SI7120DN-T1-GE3 | - | ![]() | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 6.3A (TA) | 19mohm @ 10a, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | - | |||||||||||||
![]() | SIHA150N60E-GE3 | 3.6100 | ![]() | 9374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA150 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHA150N60E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1514 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||||||
![]() | SI5459DU-T1-GE3 | 0.6100 | ![]() | 901 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5459 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 52mohm @ 6.7a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 12V | 665 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 10.9W (TC) | |||||||||
![]() | SI4896DY-T1-GE3 | 1.9500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4896 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 6.7A (TA) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 41 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||
![]() | SISA18BDN-T1-GE3 | 0.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | SISA18 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8pt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.83mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | +20V, -16V | 680 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 36.8W (TC) | |||||||||
![]() | sir644dp-t1-ge3 | - | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir644 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||||||
![]() | SIHF8N50L-E3 | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 1ohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 0 v | ± 30V | 873 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||
![]() | SI1417EDH-T1-GE3 | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1417 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 8 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||||||
![]() | SI7114ADN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7114 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1230 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||||||
![]() | SIHP10N40D-E3 | 0.8761 | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 526 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | |||||||||
![]() | SIHH24N65EF-T1-GE3 | 4.2342 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH24 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 23A (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 2780 pf @ 100 v | - | 202W (TC) | |||||||||
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SIHP8N50D-GE3 | 1.4000 | ![]() | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8.7A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 527 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||||||||
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![]() | SST4119-T1-E3 | - | ![]() | 4656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4119 | 350 MW | TO-236 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3pf @ 10V | 40 v | 200 µa @ 10 v | 2 v @ 1 na | ||||||||||||||
![]() | SST5486-E3 | - | ![]() | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 v | 2 V @ 10 NA | ||||||||||||||
![]() | SST5486-T1-E3 | - | ![]() | 8951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 v | 2 V @ 10 NA | ||||||||||||||
![]() | U290-E3 | - | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 | U290 | 500MW | TO-206AC (TO-52) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 200 | n 채널 | 160pf @ 0v | 30 v | 500 ma @ 10 v | 4 v @ 3 na | 3 옴 | |||||||||||||
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![]() | 2N4338-E3 | - | ![]() | 8878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4338 | 300MW | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 200 | n 채널 | 7pf @ 15V | 50 v | 200 µa @ 15 v | 300 mV @ 100 NA | ||||||||||||||
![]() | 2N4339-2 | - | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4339 | 300MW | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 20 | n 채널 | 7pf @ 15V | 50 v | 500 µa @ 15 v | 600 mV @ 100 NA | ||||||||||||||
![]() | 2N4856JAN02 | - | ![]() | 2436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4856 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - |
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