SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn-t1-ge3 0.8800
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS50 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 742-siss50dn-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 29.7A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1046X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1821 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1046 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 606MA (TA) 1.8V, 4.5V 420mohm @ 606ma, ​​4.5v 950MV @ 250µA 1.49 NC @ 5 v ± 8V 66 pf @ 10 v - 250MW (TA)
SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE806 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFZ44STRRPBF Vishay Siliconix IRFZ44STRRPBF -
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIJA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA52DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija52 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 150 nc @ 20 v +20V, -16V 7150 pf @ 20 v - 48W (TC)
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQM25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3 1.4674
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM25 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9z10pbf-be3 1.6300
RFQ
 ECAD 862 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9z10pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH101DN-T1-GE3 0.7700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH101 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 25V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir112DP-T1-RE3 1.3800
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.6A (TA), 133A (TC) 4.5V, 10V 1.96MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3421DV-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3421 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 19.2mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2580 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SI7682DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7682DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7682 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SIHF068N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF068N60EF-GE3 5.4600
RFQ
 ECAD 760 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF068 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHF068N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 68mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2628 pf @ 100 v - 39W (TC)
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4448DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4448 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 50A (TC) 1.8V, 4.5V 1.7mohm @ 20a, 4.5v 1V @ 250µA 150 nc @ 4.5 v ± 8V 12350 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIA810DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA810 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 53mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 11.5 nc @ 8 v ± 8V 400 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 6.5W (TC)
SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3 1.7500
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS5623 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 10.5A (TA), 36.3A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 30 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SIHG100N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG100N60E-GE3 6.5600
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG100 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 100mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1851 PF @ 100 v - 208W (TC)
SIHP24N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP24N65E-GE3 5.7000
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIE810DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3 3.4500
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE810 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7137DP-T1-GE3 3.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7137 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.95mohm @ 25a, 10V 1.4V @ 250µA 585 NC @ 10 v ± 12V 20000 PF @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS12DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS12 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.5A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 1.98mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIHB125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB125N60EF-GE3 4.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB125 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB125N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI1307DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1307DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1307 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 290mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5 nc @ 4.5 v ± 8V - 290MW (TA)
SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4838DY-T1-E3 3.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4838 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 17A (TA) 2.5V, 4.5V 3MOHM @ 25A, 4.5V 600MV @ 250µa (최소) 60 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI4406DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4406DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4406 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA914 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 53mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 11.5NC @ 8V 400pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQD70140EL_GE3 Vishay Siliconix SQD70140EL_GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD70140 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 71W (TC)
IRF9520PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9520PBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9520pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI4630DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-E3 2.0000
RFQ
 ECAD 8741 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4630 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 6670 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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