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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI4886DY-T1-E3	-	RFQ	5268	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4886	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	9.5A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 13a, 10V	800mv @ 250µa (최소)	20 nc @ 5 v	± 20V		-	1.56W (TA)
SIHFPS43N50K-GE3	-	RFQ	8460	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA		MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHFPS43N50K-GE3	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	47A (TC)	10V	90mohm @ 28a, 10V	5V @ 250µA	350 NC @ 10 v	± 30V	8310 pf @ 25 v	-	540W (TC)
SI6562DQ-T1-E3	-	RFQ	7113	Vishay Siliconix	Trenchfet®	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6562	MOSFET (금속 (()	1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	-		30mohm @ 4.5a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	25NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQJ418EP-T1_BE3	1.1800	RFQ	5041	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj418ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	48A (TC)	10V	14mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI2301CDS-T1-BE3	0.3900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.3A (TA), 3.1A (TC)	2.5V, 4.5V	112mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	405 pf @ 10 v	-	860MW (TA), 1.6W (TC)
SI6973DQ-T1-GE3	-	RFQ	9710	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6973	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4.1a		30mohm @ 4.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	30NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SIHD12N50E-GE3	1.8000	RFQ	8456	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD12	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	550 v	10.5A (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	886 pf @ 100 v	-	114W (TC)
SIHA17N80AE-GE3	2.7700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA17	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHA17N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	800 v	7A (TC)	10V	290mohm @ 8.5a, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 30V	1260 pf @ 100 v	-	34W (TC)
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SIB488DK-T1-GE3	-	RFQ	8407	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-75-6	SIB488	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-75-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	9A (TC)	1.8V, 4.5V	20mohm @ 6.3a, 4.5v	1V @ 250µA	20 nc @ 8 v	± 8V	725 pf @ 6 v	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SIHLU024-GE3	0.8400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	14A (TC)	4V, 5V	100mohm @ 8.4a, 5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 10V	870 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
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SI4486EY-T1-GE3	-	RFQ	9236	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4486	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	5.4A (TA)	6V, 10V	25mohm @ 7.9a, 10V	2V @ 250µA (Min)	44 NC @ 10 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SIHB28N60EF-GE3	6.2000	RFQ	7757	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB28	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	28A (TC)	10V	123mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 30V	2714 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SI4965DY-T1-E3	-	RFQ	4814	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4965	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		8V	-		21mohm @ 8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	55NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7356ADP-T1-GE3	-	RFQ	6539	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7356	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6215 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SQJ570EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	5611	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ570	MOSFET (금속 (()	27W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		100V	15A (TC), 9.5A (TC)		45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V, 15NC @ 10V		650pf @ 25V, 600pf @ 25V	-
irfrc20trpbf	1.2900	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFRC20	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	2A (TC)	10V	4.4ohm @ 1.2a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
irlz14strl	-	RFQ	6846	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRLZ14	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	10A (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
IRF9Z24STRR	-	RFQ	4600	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	60 v	11A (TC)	10V	280mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
sqja60ep-t1_be3	1.1100	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJA60	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8 듀얼	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	30A (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SI4831BDY-T1-GE3	-	RFQ	2412	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4831	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	6.6A (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	625 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA), 3.3W (TC)
SIHG73N60AE-GE3	11.4800	RFQ	74	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG73	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	600 v	60A (TC)	10V	40mohm @ 36.5a, 10V	4V @ 250µA	394 NC @ 10 v	± 30V	5500 pf @ 100 v	-	417W (TC)
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SISS46DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS46	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	12.5A (TA), 45.3A (TC)	7.5V, 10V	12.8mohm @ 10a, 10V	3.4V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2140 pf @ 50 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SI4943CDY-T1-E3	1.7000	RFQ	8274	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4943	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	8a		19.2mohm @ 8.3a, 10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10v	논리 논리 게이트
irl520pbf-be3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL520	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irl520pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	9.2A (TC)		270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 v	± 10V	490 pf @ 25 v	-	60W (TC)
SQM40014EM_GE3	2.9800	RFQ	7750	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	SQM40014	MOSFET (금속 (()		TO-263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	200a (TC)	10V	1MOHM @ 35A, 10V	3.5V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	15525 pf @ 25 v	-	375W (TC)
SI7530DP-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7530	MOSFET (금속 (()	1.4W, 1.5W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		60V	3A, 3.2A		75mohm @ 4.6a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
sqjb70ep-t1_ge3	0.9600	RFQ	8970	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB70	MOSFET (금속 (()	27W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	11.3A (TC)		95mohm @ 4a, 10V	3.5V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 25V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²