SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl014trpbf-be3 0.9400
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1441EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1441EDH-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1441 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1441EDH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 41mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 10V - 1.6W (TA), 2.8W (TC)
SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1499DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA), 1.6A (TC) 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1922 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.3A (TA), 1.3A (TC) 198mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.5nc @ 8v - -
IRF9620PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9620PBF-BE3 1.6800
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9620pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA22DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija22 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIJA22DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 64A (TA), 201a (TC) 0.74mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 125 nc @ 10 v +20V, -16V 6500 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4946CEY-T1_GE3 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4946 MOSFET (금속 (() 4W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sq4946cey-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TC) 4.5A, 10V 40mohm 2.5V @ 250µA 22NC @ 10V 865pf @ 25v -
SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 300MW (TA), 420MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1902CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1A (TA), 1.1A (TC) 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V -
IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60atrpbf-be3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr1n60atrpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRF624PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3 0.8831
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF624 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf624pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFZ44PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ44PBF-BE3 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ44PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI1411DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-BE3 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3 2.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 31A (TA), 126A (TC) 7.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 4980 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP080N60E-GE3 4.3900
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP080N60E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 80mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2557 pf @ 100 v - 227W (TC)
SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix SUM60061EL-GE3 5.9300
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SUM60061EL-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 80 v 150A (TC) 4.5V, 10V 6.1MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 218 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 40 v - 375W (TC)
SQJ180EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ180EP-T1_GE3 1.9300
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj180ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 248A (TC) 10V 3MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 6645 pf @ 25 v - 500W (TC)
SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja16ep-t1_ge3 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 278A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 5485 pf @ 25 v - 500W (TC)
SQJQ144AER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ144AER-T1_GE3 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 575A (TC) 10V 0.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9020 pf @ 25 v - 600W (TC)
SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix SUM70042E-GE3 2.9900
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 조각 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SUM70042E-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 150A (TC) 7.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6490 pf @ 50 v - 278W (TC)
SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ148ER-T1_GE3 2.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 372A (TC) 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5750 pf @ 25 v - 394W (TC)
SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ174EP-T1_GE3 1.8800
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj174ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 293A (TC) 10V 2.9mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6111 pf @ 25 v - 500W (TC)
SIHP5N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP5N80AE-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.4A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SQJQ112E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 3.6600
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 296A (TC) 10V 2.53MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 272 NC @ 10 v ± 20V 15945 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIR574DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR574DP-T1-RE3 1.6500
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR574DP-T1-RE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 12.1A (TA), 48.1A (TC) 7.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 75 v - 5W (TA), 78W (TC)
SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR104AEP-T1-RE3 3.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21.1A (TA), 90.5A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 6.5W (TA), 120W (TC)
SIHA15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHA15N80AEF-GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA15N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 350mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1128 pf @ 100 v - 33W (TC)
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG026N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 95A (TC) 10V 26mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 7926 pf @ 100 v - 521W (TC)
SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LEP-T1-RE3 3.4000
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 48.7A (TA), 218A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188LDP-T1-RE3 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR188LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.8A (TA), 93.6A (TC) 4.5V, 10V 3.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH105N60EF-T1GE3 6.8600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH15N60EF-T1GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 105mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2099 PF @ 100 v - 174W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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