RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI7852DP-T1-E3	2.5000	RFQ	7609	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	7.6A (TA)	6V, 10V	16.5mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA (Min)	41 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SQD40020E_GE3	1.6500	RFQ	8476	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD40020	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	2.33MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	8000 pf @ 25 v	-	107W (TC)
SIHK045N60EF-T1GE3	10.4700	RFQ	22	Vishay Siliconix	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerbsfn		MOSFET (금속 (()		PowerPak®10 x 12	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	47A (TC)	10V	52mohm @ 17a, 10V	5V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 30V	4685 pf @ 100 v	-	278W (TC)
SI3460DDV-T1-GE3	0.4100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3460	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	7.9A (TC)	1.8V, 4.5V	28mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 8 v	± 8V	666 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 2.7W (TC)
IRF9630S	-	RFQ	4438	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9630	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF9630S	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	200 v	6.5A (TC)	10V	800mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	3W (TA), 74W (TC)
IRFBC40LCS	-	RFQ	7369	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRFBC40LCS	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	6.2A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI8407dB-T2-E1	-	RFQ	5162	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6 c ® ®csp	SI8407	MOSFET (금속 (()		6 (™ ™ (2.4x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.8A (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 1a, 4.5v	900MV @ 350µA	50 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.47W (TA)
SI3433CDV-T1-E3	0.5100	RFQ	7915	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3433	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6A (TC)	1.8V, 4.5V	38mohm @ 5.2a, 4.5v	1V @ 250µA	45 NC @ 8 v	± 8V	1300 pf @ 10 v	-	3.3W (TC)
V30432-T1-GE3	-	RFQ	3590	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				v30432				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000
SISA35DN-T1-GE3	0.5200	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA35	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	10A (TA), 16A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 9a, 10V	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1500 pf @ 15 v	-	3.2W (TA), 24W (TC)
SIJ4108DP-T1-GE3	1.7200	RFQ	3275	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIJ4108	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	15.2A (TA), 56.7A (TC)	7.5V, 10V	52mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2440 pf @ 50 v	-	5W (TA), 69.4W (TC)
SQJ407EP-T1_BE3	1.4800	RFQ	1406	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj407ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	10700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SQ2351ES-T1_BE3	0.6000	RFQ	8	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2351	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SQ2351ES-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.2A (TC)	2.5V, 4.5V	115mohm @ 2.4a, 4.5v	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 12V	330 pf @ 10 v	-	2W (TC)
SI4925DDY-T1-GE3	1.0000	RFQ	3956	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4925	MOSFET (금속 (()	5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	8a		29mohm @ 7.3a, 10V	3V @ 250µA	50NC @ 10V		1350pf @ 15V	-
SIDR626DP-T1-GE3	2.8400	RFQ	141	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIDR626	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	42.8A (TA), 100A (TC)	6V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5130 pf @ 30 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SIHB30N60ALE-GE3	5.9500	RFQ	18	Vishay Siliconix	엘자	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB30	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	28A (TC)	10V	120mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 30V	2565 pf @ 100 v	-	250W (TC)
IRF830BPBF	1.1200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF830	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	325 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SIA483ADJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA483	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	10.6A (TA), 12A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 v	+16V, -20V	950 pf @ 15 v	-	3.4W (TA), 17.9W (TC)
SI1315DL-T1-GE3	-	RFQ	6078	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1315	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	900ma (TC)	1.8V, 4.5V	336mohm @ 800ma, 4.5v	800MV @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 v	± 8V	112 pf @ 4 v	-	300MW (TA), 400MW (TC)
SI4688DY-T1-E3	-	RFQ	3004	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4688	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.9A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1580 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
SI7454DP-T1-GE3	1.0773	RFQ	4952	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7454	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	5A (TA)	6V, 10V	34mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SQJQ148ER-T1_GE3	2.7200	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 8 x 8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	372A (TC)	10V	1.5mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5750 pf @ 25 v	-	394W (TC)
SQW44N65EF-GE3	7.6600	RFQ	509	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, e	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		MOSFET (금속 (()		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SQW44N65EF-GE3	귀 99	8541.29.0095	480		n 채널	650 v	47A (TC)	10V	73mohm @ 22a, 10V	4V @ 250µA	266 NC @ 10 v	± 30V	5858 pf @ 100 v	-	500W (TC)
sir472adp-t1-ge3	0.6400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir472	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	18A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	-	3.3W (TA), 14.7W (TC)
SI1405DL-T1-GE3	-	RFQ	9382	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TA)	1.8V, 4.5V	125mohm @ 1.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7 NC @ 4.5 v	± 8V		-	568MW (TA)
sq4410ey-t1_ge3	1.5200	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4410	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	2385 pf @ 25 v	-	5W (TC)
IRF744L	-	RFQ	9534	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF744	MOSFET (금속 (()		i2pak	-	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF744L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	450 v	8.8A (TC)	10V	630mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	-
SI3483DV-T1-E3	-	RFQ	2604	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	4.7A (TA)	4.5V, 10V	35mohm @ 6.2a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
irfr320trrpbf	0.8122	RFQ	3149	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR320	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	400 v	3.1A (TC)	10V	1.8ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI4178DY-T1-GE3	0.6400	RFQ	1733	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4178	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	12A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 8.4a, 10V	2.8V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 25V	405 pf @ 15 v	-	2.4W (TA), 5W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²