SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI1905DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1905DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1905 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 570ma 600mohm @ 570ma, 4.5V 450MV @ 250µA (최소) 2.3NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4952DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4952DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4952 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13v 논리 논리 게이트
SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz340ADT-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-Siz340ADT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 15.7A (TA), 33.4A (TC), 25.4A (TA), 69.7A (TC) 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250µA 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v -
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA477 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 8V 3050 pf @ 6 v - 19W (TC)
SIHD3N50DT4-GE3 Vishay Siliconix SIHD3N50DT4-GE3 0.3563
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 Vishay Siliconix 디 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix SST5484-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 1 ma @ 15 v 300 MV @ 10 NA
SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir164DP-T1-GE3 1.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir164 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 123 NC @ 10 v ± 20V 3950 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3430DV-T1-BE3 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3430 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.8A (TA) 6V, 10V 170mohm @ 2.4a, 10V 4.2V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3 2.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF906 MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 36A (TA), 105A (TC), 63A (TA), 257A (TC) 2.1mohm @ 15a, 10v, 680µohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250µA 49NC @ 10V, 165NC @ 10V 1630pf @ 15v, 5550pf @ 15v -
SIHP22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N65E-GE3 2.4402
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 227W (TC)
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4505 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V, 8V 6a, 3.8a 18mohm @ 7.8a, 10V 1.8V @ 250µA 20NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH800E-T1-GE3 4.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 29A (TA), 299A (TC) 7.5V, 10V 1.55mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 10230 pf @ 40 v - 3.3W (TA), 333W (TC)
SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6983 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.6a 24mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 400µA 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7964DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7964 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6.1A 23mohm @ 9.6a, 10V 4.5V @ 250µA 65NC @ 10V - -
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3127 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.5A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 89mohm @ 1.5a, 4.5v 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 833 pf @ 20 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ457 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 36A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS454DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS454DN-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS454 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 35A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFD9020PBF Vishay Siliconix IRFD9020PBF 1.6700
RFQ
 ECAD 505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9020 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9020PBF 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 1µa 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4136DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4136 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 46A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SUM110N04-03P-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-03P-E3 -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 3.1mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix SUM40N10-30-E3 -
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 30mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 107W (TC)
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-E3 0.9200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4800 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 9a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 25V - 1.3W (TA)
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-RE3 1.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIRC16DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 57A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 0.96mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 105 NC @ 10 v +20V, -16V 5150 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 5W (TA), 54.3W (TC)
SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA437DJ-T1-GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA437 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 29.7A (TC) 1.5V, 4.5V 14.5mohm @ 8a, 4.5v 900MV @ 250µA 90 NC @ 8 v ± 8V 2340 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp-t1-ge3 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir664 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v 1750 pf @ 30 v -
SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG180N60E-GE3 3.7500
RFQ
 ECAD 329 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG180 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 240 v 1.52A (TC) 2.5V, 10V 2.9ohm @ 700ma, 10V 2.4V @ 250µA 7.04 NC @ 10 v ± 20V 167 pf @ 120 v - 3.3W (TA), 15W (TC)
SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF916 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 23A (TA), 40A (TC) 4MOHM @ 10A, 10V, 1.25MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V, 95NC @ 10V 1060pf @ 15v, 4320pf @ 15v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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