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트랜지스터 (5716)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR9014PBF | 1.1100 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 60 v | 5.1A (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIRS700DP-T1-RE3 | 4.4200 | | 8520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TA), 127A (TC) | 7.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5950 pf @ 50 v | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||||
 | IRFU9010 | - | | 5645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU9010 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 5.3A (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||
 | SI3433BDV-T1-GE3 | - | | 4278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3433 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRF740ALPBF | 3.0900 | | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF740 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI4666DY-T1-GE3 | - | | 7257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4666 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 16.5A (TC) | 2.5V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 1.5V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 12V | 1145 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| IRFR9110PBF | 1.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFP344 | - | | 2886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP344 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFP344 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 450 v | 9.5A (TC) | 10V | 630mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
| irlr120tr | - | | 6630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | irfr9024trpbf-be3 | 1.2900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 8.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SI6435ADQ-T1-GE3 | - | | 6063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6435 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 20 nc @ 5 v | - | |||||||||
 | IRFBC40 | - | | 2536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
 | SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | | 9332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 35A (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2904 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||
| IRF634 | - | | 5475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF634 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 250 v | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
 | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 15.8A (TA), 59A (TC) | 7.5V, 10V | 8.3mohm @ 15a, 10V | 3.8V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3610 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | ||||||
 | SIE876DF-T1-GE3 | - | | 1238 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE876 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 6.1MOHM @ 20A, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7139DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 1614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7139 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 146 NC @ 10 v | ± 20V | 4230 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SIZ700DT-T1-GE3 | - | | 6812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-PowerPair ™ | Siz700 | MOSFET (금속 (() | 2.36W, 2.8W | 6-PowerPair ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 20V | 16A | 8.6mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 35NC @ 10V | 1300pf @ 10V | - | |||||||
 | IRFBF30SPBF | - | | 5195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBF30SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
| irf644nstrr | - | | 2263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
| IRL530S | - | | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRL530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL530S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 5 v | ± 10V | 930 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| irfr9214trr | - | | 8239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
 | SUM110N03-03P-E3 | - | | 2087 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 12100 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
| IRFS9N60ATRR | - | | 1341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
| SI4947ADY-T1-E3 | - | | 9209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4947 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 3A | 80mohm @ 3.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 8NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| IRF530STRRPBF | 1.7300 | | 728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SI7370DP-T1-GE3 | 3.0700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 9.6A (TA) | 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| IRF840LCL | - | | 8613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF840 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF840LCL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| SI4210DY-T1-GE3 | - | | 6502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4210 | MOSFET (금속 (() | 2.7W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.5A | 35.5mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 445pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
| IRF840HPBF | 1.5800 | | 2304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRF840HPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 7.3A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1059 pf @ 25 v | - | 125W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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