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트랜지스터 (5716)
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 | SIE878DF-T1-GE3 | - | | 4317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE878 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 12.5 v | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIHP21N80AE-GE3 | 4.3500 | | 976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP21 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 17.4A (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 1388 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | |||||
| SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP065 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
 | SISS42LDN-T1-GE3 | 1.3000 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS42 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 11.3A (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2058 pf @ 50 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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