SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SUD42N03-3M9P-GE3 Vishay Siliconix SUD42N03-3M9P-GE3 -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD42 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 73.5W (TC)
SUD45P03-10-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-10-E3 -
RFQ
ECAD 3573 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
IRFP460PBF Vishay Siliconix IRFP460PBF 4.7100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRF634NLPBF Vishay Siliconix IRF634NLPBF -
RFQ
ECAD 8780 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF634 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634NLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 435mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 88W (TC)
SI4418DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4418DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4418 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 2.3A (TA) 6V, 10V 130mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIAA40DJ-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIAA40 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v +20V, -16V 1200 pf @ 20 v - 19.2W (TC)
SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sija54ADP-T1-GE3 1.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 35.4A (TA), 126A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 3850 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
IRLZ24S Vishay Siliconix IRLZ24S -
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFU010 Vishay Siliconix IRFU010 -
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.2a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SI1029X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1029X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3438 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1029 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 305ma, 190ma 1.4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V 30pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRFR320TRR Vishay Siliconix irfr320trr -
RFQ
ECAD 7301 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI624GPBF Vishay Siliconix IRFI624GPBF -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI624 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI624GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 3.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRF610SPBF Vishay Siliconix IRF610SPBF 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF610SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6469DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6469 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 6a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7848BDP-T1-GE3 1.7500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 4.2W (TA), 36W (TC)
IRL530STRL Vishay Siliconix irl530strl -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB42 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1500pf @ 25v -
IRFS11N50ATRR Vishay Siliconix IRFS11N50ATRR -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFBF20L Vishay Siliconix IRFBF20L -
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBF20 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBF20L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
IRCZ24PBF Vishay Siliconix IRCZ24PBF -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRCZ24 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRCZ24PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 720 pf @ 25 v 현재 현재 60W (TC)
IRL3202L Vishay Siliconix irl3202L -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3202 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3202L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 48A (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 43 NC @ 4.5 v ± 10V 2000 pf @ 15 v - 69W (TC)
SI6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6975 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.3A 27mohm @ 5.1a, 4.5v 450MV @ 5MA (Min) 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIREC622DP-T1-GE3 1.7000
RFQ
ECAD 3077 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir622 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 51.6A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 31 NC @ 7.5 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 104W (TC)
IRFP150PBF Vishay Siliconix IRFP150PBF 4.2600
RFQ
ECAD 6142 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP150 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP150PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 41A (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 230W (TC)
SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.14A (TA), 1.3A (TC) 390mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 4.2NC @ 8V 120pf @ 6v -
IRFIBE30GPBF Vishay Siliconix irfibe30gpbf 2.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibe30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibe30gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.1A (TC) 10V 3ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 35W (TC)
SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5504BDC-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5504 MOSFET (금속 (() 3.12W, 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3.7A 65mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRL640SPBF Vishay Siliconix IRL640SPBF 2.3000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL640SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFD014 Vishay Siliconix IRFD014 -
RFQ
ECAD 3732 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD014 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 10V 200mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI1411DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 10V 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고