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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG61N65EF-GE3 | 9.2872 |  | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG61 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 64A (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250µA | 371 NC @ 10 v | ± 30V | 7407 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||
 | SI4463CDY-T1-GE3 | 0.9400 | | 97 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4463 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 13.6A (TA), 49A (TC) | 2.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10V | 1.4V @ 250µA | 162 NC @ 10 v | ± 12V | 4250 pf @ 15 v | - | 2.7W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI7460DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7460 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIJ186DP-T1-GE3 | 1.1400 | | 7074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIJ186 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 23A (TA), 79.4A (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 3.6V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI1073X-T1-GE3 | - | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1073 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 980MA (TA) | 4.5V, 10V | 173mohm @ 980ma, 10V | 3V @ 250µA | 9.45 NC @ 10 v | ± 20V | 265 pf @ 15 v | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRF9Z34SPBF | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SUM60N10-17-E3 | 2.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum60 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI6410DQ-T1-E3 | - | | 5357 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6410 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.8A (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 7.8a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 33 NC @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| sira10dp-t1-ge3 | 1.0400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | siRA10 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2425 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 40W (TC) | |||||
 | IRFR9014PBF | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 60 v | 5.1A (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 15.8A (TA), 59A (TC) | 7.5V, 10V | 8.3mohm @ 15a, 10V | 3.8V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3610 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | ||||||
 | SIE876DF-T1-GE3 | - | | 1238 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE876 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 6.1MOHM @ 20A, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| SQ4946AEY-T1_BE3 | - | | 7279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4946 | MOSFET (금속 (() | 4W (TC) | 8-SOIC | - | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 7A (TC) | 4.5A, 10V 40mohm | 2.5V @ 250µA | 18NC @ 10V | 750pf @ 25v | - | |||||||||
| SI7139DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 1614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7139 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 146 NC @ 10 v | ± 20V | 4230 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SI7403BDN-T1-E3 | - | | 8362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7403 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 74mohm @ 5.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 15 nc @ 8 v | ± 8V | 430 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 9.6W (TC) | ||||
 | IRFBC40 | - | | 2536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
 | SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | | 9332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 35A (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2904 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||
| IRFS9N60APBF | 3.5000 | | 484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFS9N60APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
| SIS472DN-T1-GE3 | 0.7100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 997 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | |||||
 | IRFU420APBF | 1.5800 | | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU420 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFU420APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 3.3A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||
| IRLR8103TRL | - | | 8605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR8103 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 89A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 5 v | ± 20V | - | - | |||||
| IRFPE50 | - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPE50 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPE50 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 7.8A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||
| IRF720STRR | - | | 5118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF720 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 410 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SI7997DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7997 | MOSFET (금속 (() | 46W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 60a | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 160NC @ 10V | 6200pf @ 15V | - | |||||||
| SI7459DP-T1-GE3 | - | | 4915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7459 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 10V | 6.8mohm @ 22a, 10V | 3V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 25V | - | 1.9W (TA) | |||||
| IRF730S | - | | 1821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF730S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| IRFR9010 | - | | 6329 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR9010 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 5.3A (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||
| IRFBC30APBF | 3.0700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC30APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
 | SI5856DC-T1-E3 | - | | 8787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5856 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA) | |||||
| SI4900DY-T1-E3 | 1.2500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4900 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.3A | 58mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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