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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
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Sija54ADP-T1-GE3	1.9300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	35.4A (TA), 126A (TC)	4.5V, 10V	2.3mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	70 nc @ 10 v	+20V, -16V	3850 pf @ 20 v	-	5.2W (TA), 65.7W (TC)
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SI1029X-T1-E3	-	RFQ	3438	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1029	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		60V	305ma, 190ma		1.4ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.75NC @ 4.5V		30pf @ 25V	논리 논리 게이트
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sqja90ep-t1_ge3	1.3300	RFQ	5904	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA90	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	60A (TC)	10V	7.6mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	3500 pf @ 25 v	-	68W (TC)
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SI7234DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7234	MOSFET (금속 (()	46W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		12V	60a		3.4mohm @ 20a, 4.5v	1.5V @ 250µA	120NC @ 10V		5000pf @ 6v	-
IRF740AST	-	RFQ	6933	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI9424BDY-T1-E3	-	RFQ	3642	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9424	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	5.6A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 7.1a, 4.5v	850MV @ 250µA	40 nc @ 4.5 v	± 9V		-	1.25W (TA)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²