SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SISA34DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA34DN-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA34 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v +20V, -16V 1100 pf @ 15 v - 20.8W (TC)
2N4117A-2 Vishay Siliconix 2N4117A-2 -
RFQ
ECAD 6504 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4117 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 3pf @ 10V 40 v 30 µa @ 10 v 600 MV @ 1 NA
SI4940DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4940DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4940 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.2A 36mohm @ 5.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz916 MOSFET (금속 (() 22.7W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16a, 40a 6.4mohm @ 19a, 10V 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V -
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1467DH-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1467 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TC) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 8V 561 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
SI7464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7464DP-T1-GE3 1.8900
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.8A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI7483ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7483ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ910 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj910aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 7mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 39NC @ 10V 1869pf @ 15V -
SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj423ep-t1_ge3 1.1200
RFQ
ECAD 7995 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ423 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 55A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQ2362ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 6746 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2362 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.3A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 30 v - 3W (TC)
SQD40N06-25L-GE3 Vishay Siliconix SQD40N06-25L-GE3 -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - -
SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA938DJT-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA938 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sia938djt-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A (TA), 4.5A (TC) 21.5mohm @ 5a, 10V 1.5V @ 250µA 11.5NC @ 10V 425pf @ 10V -
SUD50N03-12P-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-12P-E3 -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 17.5A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 6.5W (TA), 46.8W (TC)
SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e-ge3 3.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA11 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 34W (TC)
SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3 1.5200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3440 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.2A (TA) 6V, 10V 375mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRFIZ44G Vishay Siliconix irfiz44g -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz44g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 48W (TC)
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF5300DT-T1-GE3 2.0700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ SIZF5300 MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 56.8W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 30V 35A (TA), 125A (TC) 2.43mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 1480pf @ 15V -
SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj443ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 20 v - 83W (TC)
SIS334DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS334DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS334 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 11.3MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 50W (TC)
SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3 0.4200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2369 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.6A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.4a, 10V 2.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR570EP-T1-RE3 3.0300
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 30.8A (TA), 90.9A (TC) 7.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3740 pf @ 75 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60ET1-GE3 3.5600
RFQ
ECAD 9622 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir5211dp-t1-ge3 0.9300
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 31.2A (TA), 105A (TC) 2.5V, 10V 3.2mohm @ 10a, 10V 1.5V @ 250µA 158 NC @ 10 v ± 12V 6700 pf @ 10 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix SIHFU310-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7946ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7946ADP-T1-GE3 1.0322
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7946 MOSFET (금속 (() 19.8W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 150V 7.7A (TC) 186mohm @ 3a, 10V 3.5V @ 250µA 6.5NC @ 7.5V 230pf @ 75v -
SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7228DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7066 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7228 MOSFET (금속 (() 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 26A 20mohm @ 8.8a, 10V 2.5V @ 250µA 13NC @ 10V 480pf @ 15V -
SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403CDY-T1-GE3 0.7900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 13.4A (TC) 1.8V, 4.5V 15.5mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 90 NC @ 8 v ± 8V 2380 pf @ 10 v - 5W (TC)
IRFB9N60APBF Vishay Siliconix IRFB9N60APBF 3.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9N60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFB9N60APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRF840PBF Vishay Siliconix IRF840PBF 1.9400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFD310PBF Vishay Siliconix IRFD310PBF 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD310 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 350MA (TA) 10V 3.6ohm @ 210ma, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고