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IRFB9N60APBF | 3.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFB9N60APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||||
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![]() | IRFD310PBF | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD310 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 350MA (TA) | 10V | 3.6ohm @ 210ma, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 1W (TA) |
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