SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJA90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja90ep-t1_ge3 1.3300
RFQ
ECAD 5904 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA90 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 10V 7.6mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI7872DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1557 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7872 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7234DP-T1-GE3 2.9500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7234 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 60a 3.4mohm @ 20a, 4.5v 1.5V @ 250µA 120NC @ 10V 5000pf @ 6v -
IRF740ASTRR Vishay Siliconix IRF740AST -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI9424BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9424 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 5.6A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 7.1a, 4.5v 850MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 9V - 1.25W (TA)
IRF820ASTRL Vishay Siliconix irf820astrl -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-BE3 3.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRLL110 Vishay Siliconix irll110 -
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irll110 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7220 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.4a 60mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SUD40N10-25-T4-E3 Vishay Siliconix SUD40N10-25-T4-E3 -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 25mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SI4354DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4354DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4354 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.5A (TA) 4.5V, 10V 16.5mohm @ 9.5a, 10V 1.6V @ 250µA 10.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 2.5W (TA)
SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7960DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7960 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A 21mohm @ 9.7a, 10V 3V @ 250µA 75NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRF614S Vishay Siliconix IRF614S -
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF614S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRFR220TRLPBF Vishay Siliconix irfr220trlpbf 0.9300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRL630PBF Vishay Siliconix irl630pbf 2.3500
RFQ
ECAD 4949 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl630pbf 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir468dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir468 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 15 v - 5W (TA), 50W (TC)
SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHP10N40D-GE3 1.4400
RFQ
ECAD 416 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 526 pf @ 100 v - 147W (TC)
SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH085N60EF-T1GE3 7.1300
RFQ
ECAD 6479 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH085 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH085N60EF-T1GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 85mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2733 PF @ 100 v - 184W (TC)
IRFPC60LCPBF Vishay Siliconix IRFPC60LCPBF 6.6100
RFQ
ECAD 246 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC60 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC60LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIZF914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF914DT-T1-GE3 0.7095
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF914 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF914DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 23.5A (TA), 40A (TC), 52A (TA), 60A (TC) 3.8mohm @ 10a, 10v, 0.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V, 98NC @ 10V 1050pf @ 10v, 4670pf @ 10v -
SIHF22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF22N65E-GE3 2.5872
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFBC30 Vishay Siliconix IRFBC30 -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7129dn-T1-GE3 0.9900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7129 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 14.4a, 10V 2.8V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3345 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52.1W (TC)
SI4825DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4825DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4825 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V - 1.5W (TA)
SIHG73N60E-E3 Vishay Siliconix SIHG73N60E-E3 8.7392
RFQ
ECAD 1696 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG73 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 73A (TC) 10V 39mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 362 NC @ 10 v ± 30V 7700 pf @ 100 v - 520W (TC)
IRFR010TRR Vishay Siliconix irfr010trr -
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRF740APBF Vishay Siliconix IRF740APBF 2.7800
RFQ
ECAD 674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF740APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF540L Vishay Siliconix IRF540L -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF540 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF540L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - -
SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 340 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1026 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA 1.4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 30pf @ 25V 논리 논리 게이트
SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix SIHP18N50C-E3 2.8500
RFQ
ECAD 877 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP18N50CE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 270mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2942 pf @ 25 v - 223W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고