SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFP064 Vishay Siliconix IRFP064 -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP064 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP064 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 9mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLL110 Vishay Siliconix irll110 -
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irll110 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7220 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.4a 60mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-BE3 3.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI7872DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1557 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7872 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7234DP-T1-GE3 2.9500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7234 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 60a 3.4mohm @ 20a, 4.5v 1.5V @ 250µA 120NC @ 10V 5000pf @ 6v -
IRL640SPBF Vishay Siliconix IRL640SPBF 2.3000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL640SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF820ASTRL Vishay Siliconix irf820astrl -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp-t1-ge3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 siRA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 5W (TA), 40W (TC)
SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 1.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB02 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 32NC @ 10V 1700pf @ 20V -
SQ4946AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_BE3 -
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4946 MOSFET (금속 (() 4W (TC) 8-SOIC - 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TC) 4.5A, 10V 40mohm 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 750pf @ 25v -
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4463CDY-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4463 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 13.6A (TA), 49A (TC) 2.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10V 1.4V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 12V 4250 pf @ 15 v - 2.7W (TA), 5W (TC)
SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHW33N60E-GE3 6.6800
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 SIHW33 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3508 pf @ 100 v - 278W (TC)
IRF634STRLPBF Vishay Siliconix IRF634STRLPBF 0.7541
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 8.1A (TC)
SIR576DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR576DP-T1-RE3 1.4000
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR576DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 11.1A (TA), 42.4A (TC) 7.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 75 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
SUP10250E-GE3 Vishay Siliconix SUP10250E-GE3 2.8900
RFQ
ECAD 2400 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP10250 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 63A (TC) 7.5V, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V - 375W (TC)
SMMB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SMMB911DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6L 듀얼 SMMB911 MOSFET (금속 (() 3.1W PowerPak® SC-75-6L 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.6a 295mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 8V 115pf @ 10V -
SUD06N10-225L-GE3 Vishay Siliconix SUD06N10-225L-GE3 -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA), 16.7W (TC)
SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ952EP-T1_GE3 1.4600
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ952 MOSFET (금속 (() 25W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 23A (TC) 20mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1800pf @ 30V -
IRFR9214 Vishay Siliconix IRFR9214 -
RFQ
ECAD 9365 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9214 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 1.2300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7716 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 846 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 27.7W (TC)
SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4835DDY-T1-GE3 1.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4835 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.6W (TC)
SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS590DN-T1-GE3 0.9800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SIS590 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 17.9W (TC), 2.6W (TA), 23.1W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 100V 2.7A (TA), 4A (TC), 2.3A (TA), 4A (TC) 167mohm @ 1.5a, 10v, 251mohm @ 2.3a, 10v 2.5V @ 250µA - - -
IRF9Z14STRR Vishay Siliconix IRF9Z14STRR -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI7856ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7856 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFR310TRR Vishay Siliconix irfr310trr -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFB20N50KPBF Vishay Siliconix IRFB20N50KPBF 5.2300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFB20N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2870 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRFR9110TRRPBF Vishay Siliconix irfr9110trrpbf 0.6762
RFQ
ECAD 9849 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1050 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8 v 1.34A (TA) 1.5V, 4.5V 86mohm @ 1.34a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 5 v ± 5V 585 pf @ 4 v - 236MW (TA)
2N7002-E3 Vishay Siliconix 2N7002-E3 -
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고