SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFPG40PBF Vishay Siliconix IRFPG40PBF 5.7000
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPG40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPG40PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 1000 v 4.3A (TC) 10V 3.5ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRL530STRL Vishay Siliconix irl530strl -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI9424BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9424 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 5.6A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 7.1a, 4.5v 850MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 9V - 1.25W (TA)
IRF740ASTRR Vishay Siliconix IRF740AST -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SUD45P03-10-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-10-E3 -
RFQ
ECAD 3573 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
SIE804DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE804DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (LH) SIE804 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (LH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 37A (TC) 6V, 10V 38mohm @ 7.6a, 10V 3V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6975 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.3A 27mohm @ 5.1a, 4.5v 450MV @ 5MA (Min) 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIE812DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE812DF-T1-GE3 3.4500
RFQ
ECAD 275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE812 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 8300 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIREC622DP-T1-GE3 1.7000
RFQ
ECAD 3077 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir622 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 51.6A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 31 NC @ 7.5 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 104W (TC)
SQJA90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja90ep-t1_ge3 1.3300
RFQ
ECAD 5904 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA90 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 10V 7.6mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRLZ24S Vishay Siliconix IRLZ24S -
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFBF30S Vishay Siliconix IRFBF30 -
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBF30 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB42 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1500pf @ 25v -
VQ1006P Vishay Siliconix vq1006p -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 - VQ1006 MOSFET (금속 (() 2W 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 n 채널 90V 400ma 4.5ohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA - 60pf @ 25V 논리 논리 게이트
SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3985ev-t1_ge3 0.6900
RFQ
ECAD 9354 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3985 MOSFET (금속 (() 3W 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.9A (TC) 145mohm @ 2.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 350pf @ 10V -
IRFD014 Vishay Siliconix IRFD014 -
RFQ
ECAD 3732 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD014 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 10V 200mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI1411DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 10V 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454DDP-T1-GE3 1.5600
RFQ
ECAD 7412 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 50 v - 4.1W (TA), 29.7W (TC)
SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (금속 (() 740MW (TA), 1.25W (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.14A (TA), 1.3A (TC) 390mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 4.2NC @ 8V 120pf @ 6v -
IRFIBE30GPBF Vishay Siliconix irfibe30gpbf 2.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibe30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibe30gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.1A (TC) 10V 3ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 35W (TC)
IRFP064 Vishay Siliconix IRFP064 -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP064 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP064 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 70A (TC) 10V 9mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLL110 Vishay Siliconix irll110 -
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irll110 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7220 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.4a 60mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-BE3 3.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI7872DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1557 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7872 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7234DP-T1-GE3 2.9500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7234 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 60a 3.4mohm @ 20a, 4.5v 1.5V @ 250µA 120NC @ 10V 5000pf @ 6v -
IRL640SPBF Vishay Siliconix IRL640SPBF 2.3000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL640SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF820ASTRL Vishay Siliconix irf820astrl -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp-t1-ge3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 siRA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 5W (TA), 40W (TC)
SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 1.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB02 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 32NC @ 10V 1700pf @ 20V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고