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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
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SIRA12BDP-T1-GE3	0.7500	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	siRA12	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	27A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	32 NC @ 10 v	+20V, -16V	1470 pf @ 15 v	-	5W (TA), 38W (TC)
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SI7455DP-T1-GE3	-	RFQ	4523	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7455	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	80 v	28A (TC)	6V, 10V	25mohm @ 10.5a, 10V	4V @ 250µA	155 NC @ 10 v	± 20V	5160 pf @ 40 v	-	5.2W (TA), 83.3W (TC)
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SQS840EN-T1_GE3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SQS840	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	12A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 7.5a, 10V	2.5V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	1031 pf @ 20 v	-	33W (TC)
SI1035X-T1-E3	-	RFQ	9297	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1035	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	180ma, 145ma		5ohm @ 200ma, 4.5v	400MV @ 250µA (최소)	0.75NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI1035X-T1-GE3	0.4600	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1035	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	180ma, 145ma		5ohm @ 200ma, 4.5v	400MV @ 250µA (최소)	0.75NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI3451DV-T1-E3	-	RFQ	5718	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3451	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.8A (TC)	2.5V, 4.5V	115mohm @ 2.6a, 4.5v	1.5V @ 250µA	5.1 NC @ 5 v	± 12V	250 pf @ 10 v	-	1.25W (TA), 2.1W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²