SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRLZ44STRL Vishay Siliconix irlz44strl -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQD50034EL_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIR4608DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir4608dp-t1-ge3 1.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir4608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 13.1A (TA), 42.8A (TC) 7.5V, 10V 11.8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 740 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SQA410CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa410cejw-t1_ge3 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqa410cejw-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.8A (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 8V 525 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SI5446DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5446DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5446 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v +20V, -16V 1610 pf @ 15 v - 31W (TC)
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3 1.2246
RFQ
ECAD 3428 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ900 MOSFET (금속 (() 75W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 40V 100A (TC) 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 120NC @ 10V 5900pf @ 20V -
SI4398DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4398 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 19A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5620 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
SI4632DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4632DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4632 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 11175 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
IRLR110PBF Vishay Siliconix IRLR110PBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRL530STRRPBF Vishay Siliconix irl530strrpbf 1.1925
RFQ
ECAD 3756 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFS9N60APBF Vishay Siliconix IRFS9N60APBF 3.5000
RFQ
ECAD 484 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFS9N60APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRLR8103TRL Vishay Siliconix IRLR8103TRL -
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR8103 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 89A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nc @ 5 v ± 20V - -
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 2.2000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7997 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 60a 5.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 160NC @ 10V 6200pf @ 15V -
SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7459DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7459 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 13A (TA) 10V 6.8mohm @ 22a, 10V 3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 25V - 1.9W (TA)
IRF730S Vishay Siliconix IRF730S -
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF730S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRLZ24PBF Vishay Siliconix IRLZ24PBF 1.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLZ24PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 60W (TC)
SIHA4N80E-GE3 Vishay Siliconix siha4n80e-ge3 1.0457
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA4 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI3981DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3981DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3981 MOSFET (금속 (() 800MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.6a 185mohm @ 1.9a, 4.5v 1.1V @ 250µA 5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4322DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4322DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2265 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4322 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1640 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.4W (TC)
SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIAA40DJ-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIAA40 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v +20V, -16V 1200 pf @ 20 v - 19.2W (TC)
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6469DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6469 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 6a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
IRF720STRR Vishay Siliconix IRF720STRR -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRFUC20PBF Vishay Siliconix IRFUC20PBF 1.6000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFUC20 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFUC20PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUD45P03-15-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-15-E3 -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA (Min) 125 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
IRF634NLPBF Vishay Siliconix IRF634NLPBF -
RFQ
ECAD 8780 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF634 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634NLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 435mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 88W (TC)
IRFS11N50ATRR Vishay Siliconix IRFS11N50ATRR -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRF9640L Vishay Siliconix IRF9640L -
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9640 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9640L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
IRF510STRL Vishay Siliconix irf510strl -
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI4435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4435BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQ4425EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4425EY-T1_GE3 1.9300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4425 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 3630 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고