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트랜지스터 (5716)
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| SI7844DP-T1-E3 | - | | 1864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7844 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | IRFI520GPBF | 1.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI520 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI520GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 7.2A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||||
| sir808dp-t1-ge3 | - | | 6098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir808 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 17a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22.8 nc @ 10 v | ± 20V | 815 pf @ 12.5 v | - | 29.8W (TC) | |||||
 | sqja68ep-t1_ge3 | 0.8300 | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8L | SQJA68 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 25 v | - | 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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