- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3442BDV-T1-E3 | 0.5900 |  | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 4a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 12V | 295 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | |||||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 3065 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
 | IRFS9N60ATRL | - | | 2136 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | IRF737LC | - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF737 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF737LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
| IRFB11N50APBF | 2.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB11 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFB11N50APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE816 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| irfz48strl | - | | 1613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
 | sqj968ep-t1_ge3 | 1.1000 | | 1792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ968 | MOSFET (금속 (() | 42W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 23.5A (TC) | 33.6mohm @ 4.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18.5NC @ 10V | 714pf @ 30V | - | |||||||
| irl630strr | - | | 5852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRFZ14S | - | | 6398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ14S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | IRFPS43N50K | - | | 6544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRFPS43 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPS43N50K | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 10V | 90mohm @ 28a, 10V | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 v | ± 30V | 8310 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||
| IRF9520SPBF | 1.6800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9520 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF9520SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 6.8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
| IRL620SPBF | 2.1300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRL620SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 10V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SUM110N04-04-E3 | - | | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 110A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | |||||
 | irfpf30pbf | 4.9000 | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPF30PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
 | irl640L | - | | 9208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | irl640 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL640L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 25 v | - | - | |||
 | SIRA60DP-T1-RE3 | 0.5977 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira60 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.94mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | +20V, -16V | 7650 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | ||||||
 | irli520g | - | | 9045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli520 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLI520G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 7.2A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.3a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||
| SQM90142E_GE3 | 2.9200 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM90142 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 95A (TC) | 10V | 15.3MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||
| SQJ912AEP-T2_BE3 | - | | 8259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ912 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | - | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 30A (TC) | 9.3mohm @ 9.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38NC @ 10V | 1835pf @ 20V | - | |||||||||
| IRFB9N65APBF | 2.8500 | | 956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFB9N65APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 8.5A (TC) | 10V | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 1417 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||||
| IRF737LCPBF | - | | 6595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF737 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF737LCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
| IRFBC40L | - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||
 | SIA447DJ-T1-GE3 | 0.4800 | | 100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA447 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 12A (TC) | 1.5V, 4.5V | 13.5mohm @ 7a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 80 nc @ 8 v | ± 8V | 2880 pf @ 6 v | - | 19W (TC) | |||||
 | SI4842BDY-T1-E3 | 2.4800 | | 185 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4842 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 28A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3650 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 6.25W (TC) | |||||
| IRFI730G | - | | 5850 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI730 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI730G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 3.7A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
 | SIHP065N60E-BE3 | 7.2600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||
 | SIREC670DP-T1-GE3 | 1.2100 | | 317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir670 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 2.8V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 2815 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
| IRFPS40N60K | - | | 6331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRFPS40 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 130mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 30V | 7970 pf @ 25 v | - | 570W (TC) | ||||
 | SI7100DN-T1-GE3 | - | | 2915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7100 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 105 NC @ 8 v | ± 8V | 3810 pf @ 4 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)