SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840APBF-BE3 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 742-IRF840APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRLR110TRR Vishay Siliconix IRLR110trr -
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR214TRPBF Vishay Siliconix irfr214trpbf 1.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHB22N60S-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60S-GE3 -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix 에스 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 190mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2810 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFI9Z24GPBF Vishay Siliconix irfi9z24gpbf 2.6600
RFQ
ECAD 1536 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfi9z24gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 8.5A (TC) 10V 280mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 37W (TC)
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 6.0700
RFQ
ECAD 879 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB30N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6467 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.8A (TA) 12.5mohm @ 8a, 4.5v 850MV @ 450µA 70 NC @ 4.5 v -
SI4818DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4818DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7266 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4818 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.3a, 7a 22mohm @ 6.3a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 12NC @ 5V - 논리 논리 게이트
IRFBC40APBF Vishay Siliconix IRFBC40APBF 2.4900
RFQ
ECAD 496 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIJA58DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJA58DP-T1-GE3 0.4092
RFQ
ECAD 3967 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija58 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 3750 pf @ 20 v - 27.7W (TC)
SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8409DB-T1-E1 1.1100
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8409 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.47W (TA)
SQS462EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS462EN-T1_GE3 1.0300
RFQ
ECAD 2097 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS462 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 4.3a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 33W (TC)
IRFZ24SPBF Vishay Siliconix IRFZ24SPBF 2.4800
RFQ
ECAD 741 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660-E3 -
RFQ
ECAD 7399 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 1.8574
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE802 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 23.6a, 10V 2.7V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIR866DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir866dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6025 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir866 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 4730 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7463DP-T1-E3 2.9400
RFQ
ECAD 367 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7463 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.2mohm @ 18.6a, 10V 3V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR680DP-T1-GE3 2.8900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR680 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 32.8A (TA), 100A (TC) 7.5V, 10V 2.9mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1467DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
ECAD 9484 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1467 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1467DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA), 2.7A (TC) 90mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 8V 561 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
SIHA155N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA155N60EF-GE3 3.6600
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA155 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA155N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 89mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 100 v - 33W (TC)
SI3407DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3407DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3407 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 12V 1670 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIHB186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB186N60EF-GE3 2.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB186 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB186N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8.4A (TC) 10V 193mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 1081 pf @ 100 v - 156W (TC)
SUM90N08-7M6P-E3 Vishay Siliconix SUM90N08-7M6P-E3 -
RFQ
ECAD 1249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.6mohm @ 30a, 10V 4.8V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3528 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SI7413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7413 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8.4A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5v 1V @ 400µA 51 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA444DJT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6755 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir158DP-T1-GE3 1.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir158 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 4980 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.75A (TC) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3429 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 8V 4085 pf @ 50 v - 4.2W (TC)
V30433-T1-GE3 Vishay Siliconix V30433-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30433 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9407 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 4.7A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 30 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고