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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | IXGH30N120B3 | 54.6882 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH30 | 기준 | 300 w | TO-247AD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXGH30N120B3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 30A, 5ohm, 15V | 37 ns | Pt | 1200 v | 60 a | 150 a | 3.5V @ 15V, 30A | 3.47mj (on), 2.16mj (OFF) | 87 NC | 16ns/127ns | |||||||||||||||||||
![]() | IXTN200N10L2 | 51.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXTN200 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 178a (TC) | 10V | 11mohm @ 100a, 10V | 4.5V @ 3MA | 540 nc @ 10 v | ± 20V | 23000 pf @ 25 v | - | 830W (TC) | |||||||||||||||||||
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![]() | ixyl40n250cv1 | 87.6100 | ![]() | 1800 | 0.00000000 | ixys | XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | isoplusi5-pak ™ | ixyl40 | 기준 | 577 w | isoplusi5-pak ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 1250v, 40a, 1ohm, 15v | 210 ns | - | 2500 v | 70 a | 400 a | 4V @ 15V, 40A | 11.7mj (on), 6.9mj (Off) | 270 NC | 21ns/200ns | |||||||||||||||||||
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![]() | IXTP160N075T | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP160 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 160A (TC) | 10V | 6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 112 NC @ 10 v | ± 20V | 4950 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | ixfh52n30p | 7.8100 | ![]() | 5932 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH52 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 52A (TC) | 10V | 66MOHM @ 500MA, 10V | 5V @ 4MA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3490 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MKI100-12E8 | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | MKI | 640 W. | 기준 | E3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 전체 전체 인버터 | NPT | 1200 v | 165 a | 2.5V @ 15V, 100A | 1.4 MA | 아니요 | 7.4 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
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![]() | IXTT440N04T4HV | 12.0600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT440 | MOSFET (금속 (() | TO-268HV (IXTT) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 40 v | 440A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250µA | 480 nc @ 10 v | ± 15V | 26000 pf @ 25 v | - | 940W (TC) | |||||||||||||||||||
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ixfv16n80p | - | ![]() | 6106 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXFV16 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 16A (TC) | 10V | 600mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 4MA | 71 NC @ 10 v | ± 30V | 4600 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IXFH60N50P3 | 11.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polar3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH60 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 625876 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 60A (TC) | 10V | 100mohm @ 30a, 10V | 5V @ 4MA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 6250 pf @ 25 v | - | 1040W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IXGH10N170 | 9.3800 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH10 | 기준 | 110 W. | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | NPT | 1700 v | 20 a | 70 a | 4V @ 15V, 10A | - | 32 NC | - | ||||||||||||||||||||
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IXFV12N80p | - | ![]() | 1605 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXFV12 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 12A (TC) | 10V | 850mohm @ 500ma, 10V | 5.5V @ 2.5MA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 2800 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ixfv26n60ps | - | ![]() | 2620 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Plus-220SMD | IXFV26 | MOSFET (금속 (() | Plus-220SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 270mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 4MA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 4150 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||
ixya50n65c3 | 5.9026 | ![]() | 3380 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXYA50 | 기준 | 600 w | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 629999 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 36a, 5ohm, 15V | Pt | 650 v | 130 a | 250 a | 2.1V @ 15V, 36A | 1.3mj (on), 370µj (OFF) | 80 NC | 22ns/80ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IXGX50N60B2D1 | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | ixys | Hiperfast ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXGX50 | 기준 | 400 W. | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 40A, 5ohm, 15V | 35 ns | Pt | 600 v | 75 a | 200a | 2V @ 15V, 40A | 550µJ (OFF) | 140 NC | 18ns/190ns | ||||||||||||||||||||
![]() | ixfn64n50pd3 | - | ![]() | 6915 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN64 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 500 v | 50A (TC) | 10V | 85mohm @ 32a, 10V | 5V @ 8MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 11000 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||
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![]() | IXGK120N120A3 | 38.3700 | ![]() | 642 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXGK120 | 기준 | 830 w | TO-264 (IXGK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 622019 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 100A, 1ohm, 15V | Pt | 1200 v | 240 a | 600 a | 2.2V @ 15V, 100A | 10mj (on), 33mj (Off) | 420 NC | 40ns/490ns | |||||||||||||||||||
IXFA4N100Q-TRL | 4.3052 | ![]() | 9053 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA4N100 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1000 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 2a, 10V | 4.5V @ 1.5MA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
ixta3n60p | - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA3 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 3A (TC) | 10V | 2.9ohm @ 500ma, 10V | 50µA 5.5V | 9.8 nc @ 10 v | ± 30V | 411 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IXGH24N60B | - | ![]() | 4803 | 0.00000000 | ixys | Hiperfast ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH24 | 기준 | 150 W. | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | IXGH24N60B-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 24A, 10ohm, 15V | - | 600 v | 48 a | 96 a | 2.3V @ 15V, 24A | 600µJ (on), 800µJ (OFF) | 90 NC | 25ns/150ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고