SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXFP5N50PM IXYS ixfp5n50pm -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP5N50 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 5.5v @ 500µa 12.6 NC @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 38W (TC)
IXFA18N65X3 IXYS IXFA18N65X3 5.2144
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 IXFA18 - 238-IXFA18N65X3 50
IXFH32N48Q IXYS IXFH32N48Q -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH32 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 480 v 32A (TC) 10V 130mohm @ 15a, 10V 4V @ 4MA 300 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTP110N055T IXYS IXTP110N055T -
RFQ
 ECAD 6917 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP110 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 110A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 100µa 67 NC @ 10 v ± 20V 3080 pf @ 25 v - 230W (TC)
IXTT10P50 IXYS IXTT10P50 -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT10 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 500 v 10A (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTT110N10P IXYS IXTT110N10P 7.5317
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT110 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 110A (TC) 10V 15mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXYN82N120C3 IXYS ixyn82n120c3 41.0700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 ixyn82 500 W. 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 105 a 3.2V @ 15V, 82A 25 µA 아니요 4.1 NF @ 25 v
IXBK55N300 IXYS IXBK55N300 107.9000
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXBK55 기준 625 w TO-264AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 1.9 µs - 3000 v 130 a 600 a 3.2V @ 15V, 55A - 335 NC -
MWI100-12A8 IXYS MWI100-12A8 -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E3 MWI100 640 W. 기준 E3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 3 단계 인버터 NPT 1200 v 160 a 2.6V @ 15V, 100A 6.3 MA 아니요 6.5 NF @ 25 v
IXGT30N120B3D1 IXYS IXGT30N120B3D1 12.0000
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT30 기준 300 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 30A, 5ohm, 15V 100 ns Pt 1200 v 150 a 3.5V @ 15V, 30A 3.47mj (on), 2.16mj (OFF) 87 NC 16ns/127ns
IXTA170N075T2 IXYS IXTA170N075T2 3.5880
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA170 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 170A (TC) 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 10 v ± 20V 6860 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTP120P065T IXYS IXTP120P065T 6.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP120 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 65 v 120A (TC) 10V 10mohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 15V 13200 pf @ 25 v - 298W (TC)
IXGT32N170-TRL IXYS IXGT32N170-TRL 24.4600
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT32 기준 350 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 1020v, 32a, 2.7ohm, 15v NPT 1700 v 75 a 200a 3.3V @ 15V, 32A 11mj (OFF) 155 NC 45ns/270ns
IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4 -
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 ixys XPT ™, GenX4 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXXN200 기준 1250 w SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 400V, 100A, 1ohm, 15V 160 ns - 650 v 440 a 1200 a 1.8V @ 15V, 200a 8.8mj (on), 6.7mj (OFF) 736 NC 140ns/1.04µs
IXGQ20N120B IXYS IXGQ20N120B -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXGQ20 기준 190 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10ohm, 15V 40 ns Pt 1200 v 40 a 100 a 3.4V @ 15V, 20A 2.1mj (OFF) 62 NC 20ns/270ns
IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T 12.9570
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH120 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 120A (TC) 10V 23mohm @ 60a, 10V 5V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 11300 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXFB82N60P IXYS IXFB82N60p 31.8000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB82 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 82A (TC) 10V 75mohm @ 41a, 10V 5V @ 8MA 240 NC @ 10 v ± 30V 23000 pf @ 25 v - 1250W (TC)
IXTH88N30P IXYS ixth88n30p 12.5100
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH88 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 88A (TC) 10V 40mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 25 v - 600W (TC)
IXFH22N50P IXYS ixfh22n50p 6.3600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH22 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 270mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 2.5MA 50 nc @ 10 v ± 30V 2630 pf @ 25 v - 350W (TC)
IXTV26N50PS IXYS IXTV26N50PS -
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXTV26 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXA4IF1200TC-TUB IXYS IXA4IF1200TC-TUB 4.8809
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXA4IF1200 기준 45 W. TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 3A, 330ohm, 15V 350 ns Pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V, 3A 400µJ (on), 300µJ (OFF) 12 NC -
IXTA160N075T7 IXYS IXTA160N075T7 -
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA160 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 160A (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 20V 4950 pf @ 25 v - 360W (TC)
MWI30-12E6K IXYS MWI30-12E6K -
RFQ
 ECAD 6328 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 MWI30 130 W. 기준 E1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1200 v 29 a 2.9V @ 15V, 20A 1 MA 예 1.18 NF @ 25 v
VMK165-007T IXYS VMK165-007T 52.6539
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 ixys - 상자 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-240AA VMK165 MOSFET (금속 (() 390W TO-240AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 36 2 n 채널 (채널) 70V 165a 7mohm @ 82.5a, 10V 4V @ 8MA 480NC @ 10V 8800pf @ 25V -
IXFH14N100Q IXYS IXFH14N100Q -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH14 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 14A (TC) 10V 750mohm @ 7a, 10V 5V @ 4MA 170 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXFN38N80Q2 IXYS IXFN38N80Q2 -
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN38 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 800 v 38A (TC) 10V 220mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 8mA 190 NC @ 10 v ± 30V 8340 pf @ 25 v - 735W (TC)
IXFK24N80P IXYS ixfk24n80p 9.0142
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK24 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 24A (TC) 10V 400mohm @ 12a, 10V 5V @ 4MA 105 NC @ 10 v ± 30V 7200 pf @ 25 v - 650W (TC)
IXFR44N50P IXYS IXFR44N50P 15.3800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR44 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 24A (TC) 10V 150mohm @ 22a, 10V 5V @ 4MA 98 NC @ 10 v ± 30V 5440 pf @ 25 v - 208W (TC)
IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4 11.1300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Genx4 ™, XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXXH110 기준 880 W. TO-247AD (IXXH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 55A, 2ohm, 15V Pt 650 v 234 a 600 a 2.35V @ 15V, 110A 2.3mj (on), 600µJ (OFF) 180 NC 35ns/143ns
IXTA74N15T IXYS IXTA74N15T -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA74 MOSFET (금속 (() TO-263AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 74A (TC) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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