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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXFX90N20Q IXYS IXFX90N20Q -
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX90 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 IXFX90N20Q-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 90A (TC) 10V 22mohm @ 45a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTP62N15P IXYS ixtp62n15p 4.9700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP62 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 62A (TC) 10V 40mohm @ 31a, 10V 5.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 350W (TC)
IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M -
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IXKP20 MOSFET (금속 (() TO-220ABFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7.6A (TC) 10V 200mohm @ 10a, 10V 3.5v @ 1.1ma 30 nc @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 100 v - -
IXXN110N65B4H1 IXYS IXXN110N65B4H1 32.5300
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 ixys XPT ™, GenX4 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXXN110 750 w 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 Pt 650 v 215 a 2.1V @ 15V, 110A 50 µA 아니요 3.65 NF @ 25 v
IXGH50N120C3 IXYS IXGH50N120C3 17.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH50 기준 460 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 2ohm, 15V Pt 1200 v 75 a 250 a 4.2V @ 15V, 40A 2.2mj (on), 630µj (OFF) 196 NC 20ns/123ns
IXTQ82N25P IXYS IXTQ82N25P 9.4100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ82 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 82A (TC) 10V 35mohm @ 41a, 10V 5V @ 250µA 142 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTA32P05T IXYS IXTA32P05T 2.8200
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA32 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 50 v 32A (TC) 10V 39mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 1975 pf @ 25 v - 83W (TC)
IXTH64N65X IXYS ixth64n65x 13.1883
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 ixys x. x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH64 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixth64n65x 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 51mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 890W (TC)
MIXA40WB1200TED IXYS Mixa40WB1200TED 82.8400
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 Mixa40 195 w 3 정류기 정류기 브리지 E2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 Pt 1200 v 60 a 2.1V @ 15V, 35A 2.1 MA 예
IXFX64N60Q3 IXYS IXFX64N60Q3 24.7800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX64 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXFX64N60Q3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 64A (TC) 10V 95mohm @ 32a, 10V 6.5V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 30V 9930 pf @ 25 v - 1250W (TC)
IXFT6N100F IXYS ixft6n100f -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 ixys Hiperrf ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA ixft6 MOSFET (금속 (() TO-268 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 6A (TC) 10V 1.9ohm @ 3a, 10V 5.5V @ 2.5MA 54 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXTP7N60P IXYS ixtp7n60p -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP7 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 1.1ohm @ 3.5a, 10V 5.5V @ 100µa 20 nc @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 150W (TC)
IXTP28P065T IXYS IXTP28P065T 3.7600
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP28 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 65 v 28A (TC) 10V 45mohm @ 14a, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 2030 pf @ 25 v - 83W (TC)
IXTM11P50 IXYS IXTM11P50 -
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - - - IXTM11 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXFH26N60P IXYS ixfh26n60p 9.4700
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH26 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 270mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 72 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXFN160N30T IXYS IXFN160N30T 32.5200
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN160 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 300 v 130A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 5V @ 8MA 335 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 25 v - 900W (TC)
IXFA14N85XHV IXYS IXFA14N85XHV 4.7308
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA14 MOSFET (금속 (() TO-263 (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 850 v 14A (TC) 10V 550mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1043 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXTA220N075T7 IXYS IXTA220N075T7 -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA220 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 220A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTA3N150HV-TRL IXYS ixta3n150hv-trl 7.7074
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N150HV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1500 v 3A (TC) 10V 7.3ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 38.6 NC @ 10 v ± 30V 1375 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXTH6N100D2 IXYS IXTH6N100D2 9.3800
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixth6 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 6A (TC) - 2.2ohm @ 3a, 0v - 95 NC @ 5 v ± 20V 2650 pf @ 25 v 고갈 고갈 300W (TC)
IXTA86N20T IXYS IXTA86N20T 6.4600
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA86 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixta86n20t 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 86A (TC) 10V 29mohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 90 NC @ 10 v ± 30V 4500 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXXK200N60B3 IXYS IXXK200N60B3 24.2008
RFQ
 ECAD 5898 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXXK200 기준 1630 w TO-264 (IXXK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 360V, 100A, 1ohm, 15V Pt 600 v 380 a 900 a 1.7V @ 15V, 100A 2.85mj (on), 2.9mj (OFF) 315 NC 48ns/160ns
IXBL64N250 IXYS IXBL64N250 123.8172
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 isoplusi5-pak ™ IXBL64 기준 500 W. isoplusi5-pak ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q7051550 귀 99 8541.29.0095 25 - 160 ns - 2500 v 116 a 750 a 3V @ 15V, 64A - 400 NC -
GWM220-004P3-SMD IXYS GWM220-004P3-SMD -
RFQ
 ECAD 7525 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 날개 GWM220 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 36 6 n 채널 (3 채널 교량) 40V 180a - 4V @ 1MA 94NC @ 10V - -
IXGP30N60C3D4 IXYS IXGP30N60C3D4 -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXGP30 기준 220 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 20A, 5ohm, 15V 60 ns Pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V, 20A 270µJ (on), 90µJ (OFF) 38 NC 16ns/42ns
IXTQ120N15T IXYS IXTQ120N15T -
RFQ
 ECAD 1828 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ120 MOSFET (금속 (() to-3p - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 120A (TC) 16mohm @ 500ma, 10V - 150 nc @ 10 v 4900 pf @ 25 v - -
IXBK75N170 IXYS IXBK75N170 65.5000
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXBK75 기준 1040 w TO-264AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 1.5 µs - 1700 v 200a 580 a 3.1V @ 15V, 75A - 350 NC -
IXFK88N20Q IXYS IXFK88N20Q -
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK88 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 88A (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 4MA 146 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTA240N055T7 IXYS IXTA240N055T7 -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA240 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 240A (TC) 10V 3.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXFC36N50P IXYS IXFC36N50P -
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXFC36N50 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 190mohm @ 18a, 10V 5V @ 4MA 93 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 156W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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