SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
VIO75-12P1 IXYS VIO75-12P1 -
RFQ
 ECAD 9830 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 vio 379 w 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 하나의 NPT 1200 v 92 a 3.2V @ 15V, 75A 3.7 MA 아니요 3.3 NF @ 25 v
IXTV36N50P IXYS IXTV36N50P -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXTV36 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 36A (TC) 10V 170mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 30V 5500 pf @ 25 v - 540W (TC)
IXFK200N10P IXYS IXFK200N10P 16.4500
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 상자 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK200 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 7.5mohm @ 100a, 10V 5V @ 8MA 235 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 830W (TC)
IXFV22N50P IXYS ixfv22n50p -
RFQ
 ECAD 2220 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV22 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 270mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 2.5MA 50 nc @ 10 v ± 30V 2630 pf @ 25 v - 350W (TC)
IXTP160N085T IXYS IXTP160N085T -
RFQ
 ECAD 3329 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP160 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 160A (TC) 10V 6ohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXFH120N30X3 IXYS IXFH120N30X3 17.3300
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH120 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 120A (TC) 10V 11mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 1376 pf @ 25 v - 735W (TC)
IXTQ22N60P IXYS IXTQ22N60P 7.2900
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ22 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 350mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXFN130N65X3 IXYS IXFN130N65X3 38.7020
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 IXFN130 - 238-IXFN130N65X3 10
IXA20I1200PZ-TRL IXYS IXA20I1200PZ-TRL 3.7616
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 ixys XPT ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXA20I1200 기준 165 w TO-263HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXA20I1200PZ-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 600V, 15A, 56OHM, 15V Pt 1200 v 38 a 2.1V @ 15V, 15a 1.6mj (on), 1.7mj (OFF) 47 NC 48ns/230ns
IXTP160N10T IXYS IXTP160N10T 5.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP160 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 160A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 6600 pf @ 25 v - 430W (TC)
IXTC110N25T IXYS IXTC110N25T -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXTC110 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 50A (TC) 10V 27mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 1mA 157 NC @ 10 v ± 20V 9400 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXFH10N80P IXYS ixfh10n80p 6.0100
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH10 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 10A (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10V 5.5V @ 2.5MA 40 nc @ 10 v ± 30V 2050 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXKT70N60C5-TRL IXYS IXKT70N60C5-TRL 20.5151
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 ixys * 테이프 & tr (TR) 활동적인 IXKT70 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400
IXSN50N60BD2 IXYS IXSN50N60BD2 -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXSN50 250 W. 기준 SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 75 a 2.5V @ 15V, 50A 350 µA 아니요 3.85 NF @ 25 v
IXTA380N036T4-7 IXYS IXTA380N036T4-7 4.2912
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA380 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 36 v 380A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 15V 13400 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTQ200N10T IXYS IXTQ200N10T 7.4800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ200 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 4.5V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 30V 9400 pf @ 25 v - 550W (TC)
MID150-12A4 IXYS 15-12A4 -
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-DCB 1550 년 중반 760 W. 기준 Y3-DCB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 NPT 1200 v 180 a 2.7V @ 15V, 100A 7.5 MA 아니요 6.6 NF @ 25 v
IXTH60N15 IXYS IXTH60N15 -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH60 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 60A (TC) 10V 33mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 275W (TC)
IXFH12N100P IXYS IXFH12N100p 9.6500
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH12 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 12A (TC) 10V 1.05ohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 30V 4080 pf @ 25 v - 463W (TC)
IXTA96P085T IXYS IXTA96P085T 6.5100
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA96 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 85 v 96A (TC) 10V 13mohm @ 48a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 15V 13100 pf @ 25 v - 298W (TC)
IXFK50N85X IXYS ixfk50n85x 19.0400
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK50 MOSFET (금속 (() TO-264AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 850 v 50A (TC) 10V 105mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 4mA 152 NC @ 10 v ± 30V 4480 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXFH10N100 IXYS IXFH10N100 12.3737
RFQ
 ECAD 1523 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH10 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFH10N100-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 10A (TC) 10V 1.2ohm @ 5a, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFV30N60P IXYS ixfv30n60p -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV30 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10V 5V @ 4MA 82 NC @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTH50N25T IXYS IXTH50N25T -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH50 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 50A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 5V @ 1MA 78 NC @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXTH86N25T IXYS IXTH86N25T 7.6917
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH86 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTH86N25T 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 86A (TC) 10V 37mohm @ 43a, 10V 5V @ 1MA 105 NC @ 10 v ± 30V 5330 pf @ 25 v - 540W (TA)
MIXA30W1200TMH IXYS Mixa30W1200TMH -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 미니 2 mixa30w 150 W. 기준 미니 2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 20 브레이크가있는 3 인버터 단계 Pt 1200 v 43 a 2.1V @ 15V, 25A 150 µA 예
IXTM35N30 IXYS IXTM35N30 -
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 ixys Gigamos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE IXTM35 MOSFET (금속 (() TO-204AE - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 300 v 35A (TC) 10V 100mohm @ 17.5a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTD3N60P-2J IXYS IXTD3N60P-2J -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 ixys Polarhv ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 ixtd3n MOSFET (금속 (() 주사위 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 2.9ohm @ 1.5a, 10V 50µA 5.5V 9.8 nc @ 10 v ± 30V 411 pf @ 25 v - 70W (TC)
IXFX64N60P IXYS ixfx64n60p 22.3300
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX64 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 64A (TC) 10V 96mohm @ 500ma, 10V 5V @ 8MA 200 nc @ 10 v ± 30V 12000 pf @ 25 v - 1040W (TC)
IXFV14N80P IXYS IXFV14N80p -
RFQ
 ECAD 9126 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV14 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 14A (TC) 10V 720mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 4mA 61 NC @ 10 v ± 30V 3900 pf @ 25 v - 400W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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