SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXTQ86N25T IXYS IXTQ86N25T 6.4897
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ86 MOSFET (금속 (() to-3p - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTQ86N25T 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 86A (TC) 10V 37mohm @ 43a, 10V 5V @ 1MA 105 NC @ 10 v ± 30V 5330 pf @ 25 v - 540W (TA)
IXTA32P20T-TRL IXYS IXTA32P20T-TRL 5.9855
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA32 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA32P20T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 15V 14500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTA20N65X-TRL IXYS IXTA20N65X-TRL 6.0096
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 ixys x. x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA20 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA20N65X-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1390 pf @ 25 v - 320W (TC)
IXFA12N50P-TRL IXYS IXFA12N50P-TRL 2.6990
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA12 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA12N50P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10V 5.5V @ 1mA 29 NC @ 10 v ± 30V 1830 pf @ 25 v - 200W (TC)
IXTA6N100D2-TRL IXYS IXTA6N100D2-TRL 5.2825
RFQ
 ECAD 1953 0.00000000 ixys 고갈 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA6 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA6N100D2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 6A (TJ) 0V 2.2ohm @ 3a, 0v 4.5V @ 250µA 95 NC @ 5 v ± 20V 2650 pf @ 25 v 고갈 고갈 300W (TC)
IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA15N65C3D1 -
RFQ
 ECAD 3626 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXYA15 기준 200 w TO-263AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-ixya15n65c3d1 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 20ohm, 15V 20 ns Pt 650 v 38 a 80 a 2.5V @ 15V, 15a 270µJ (on), 230µJ (OFF) 19 NC 15ns/68ns
IXFP16N85X IXYS ixfp16n85x 8.2366
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 - - - IXFP16 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFP16N85X 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 9-powersmd MCB40P1200 실리콘 실리콘 (sic) - 9-SMPD-B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCB40P1200LB-TRRTR 귀 99 8541.29.0095 200 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1200V (1.2kv) 58a - - - - -
IXXH110N65B4 IXYS IXXH110N65B4 14.2433
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 ixys XPT ™, GenX4 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXXH110 기준 880 W. TO-247 (ixth) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXXH110N65B4 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 55A, 2ohm, 15V 40 ns Pt 650 v 250 a 570 a 2.1V @ 15V, 110A 2.2mj (on), 1.05mj (OFF) 183 NC 26ns/146ns
IXYH20N65C3D1 IXYS IXYH20N65C3D1 6.9113
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH20 기준 230 w TO-247 (IXYH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXYH20N65C3D1 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 20ohm, 15V 34 ns Pt 650 v 50 a 105 a 2.5V @ 15V, 20A 430µJ (on), 350µJ (OFF) 30 NC 19ns/80ns
MMIX1Y82N120C3H1 IXYS MMIX1Y82N120C3H1 45.9840
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 24-powersmd, 21 리드 mmix1y82 기준 320 w 24-SMPD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MMIX1Y82N120C3H1 귀 99 8541.29.0095 20 600V, 80A, 2ohm, 15V 78 ns Pt 1200 v 78 a 320 a 3.4V @ 15V, 82A 4.95mj (on), 2.78mj (OFF) 215 NC 29ns/192ns
MIXG450PF1700TSF IXYS MixG450pf1700tsf 225.2033
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 Simbus f MixG450 기준 Simbus f - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG450PF1700TSF 3 하나의 Pt - 아니요
MIXG300PF1700TSF IXYS mixg300pf1700tsf 200.1933
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 Simbus f MixG300 기준 Simbus f - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG300PF1700TSF 3 하나의 Pt - 아니요
IXFH240N15X3 IXYS IXFH240N15X3 18.6923
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH240 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFH240N15X3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 240A (TC) 10V 5.4mohm @ 120a, 10V 4.5V @ 4mA 150 nc @ 10 v ± 20V 9580 pf @ 25 v - 780W (TC)
IXTA230N075T2-TRL IXYS IXTA230N075T2-TRL 4.2408
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA230 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA230N075T2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 230A (TC) 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 178 NC @ 10 v ± 20V 10500 pf @ 25 v - 480W (TC)
MITA300RF1700PTED IXYS MITA300RF1700PTED 129.7314
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 MITA300 1390 w 기준 E2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MITA300RF1700PTED 귀 99 8541.29.0095 28 단일 단일 도랑 1700 v 400 a 2.45V @ 15V, 300A 1.2 MA 예
IXGT6N170AHV-TRL IXYS IXGT6N170AHV-TRL 12.1676
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT6N170 기준 75 w TO-268HV (IXGT) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 238-IXGT6N170AHV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 850V, 6A, 33OHM, 15V 40 ns - 1700 v 6 a 14 a 7V @ 15V, 3A 590µJ (ON), 180µJ (OFF) 18.5 NC 46ns/220ns
IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXYP20 기준 230 w TO-220 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXYP20N65B3D1 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 20ohm, 15V 25 ns Pt 650 v 58 a 108 a 2.1V @ 15V, 20A 500µJ (on), 450µJ (OFF) 29 NC 12ns/103ns
IXFA7N80P-TRL IXYS ixfa7n80p-trl 2.4395
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA7N80 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA7N80P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.44ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 1MA 32 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 200W (TC)
IXYA50N65C3-TRL IXYS ixya50n65c3-trl 5.3818
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXYA50 기준 600 w TO-263AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-ixya50n65c3-trltr 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 36a, 5ohm, 15V 36 ns Pt 650 v 132 a 250 a 2.1V @ 15V, 36A 800µJ (on), 470µJ (OFF) 86 NC 20ns/90ns
MIXG240W1200PTEH IXYS MixG240W1200pteh 227.7113
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 Mixg240 938 w 기준 E3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG240W1200PTEH 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 - 1200 v 312 a 2V @ 15V, 200a 150 µA 예 10.6 NF @ 100 v
IXTY1N80P-TRL IXYS ixty1n80p-trl 1.3298
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY1 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY1N80P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 1A (TC) 10V 14ohm @ 500ma, 10V 4V @ 50µA 9 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 42W (TC)
IXG100IF1200HF IXYS IXG100IF1200HF 23.3630
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 ixys X2PT ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXG100 기준 Plus247 ™ -3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXG100IF1200HF 0000.00.0000 30 - Pt 1200 v 140 a - - -
MIXG360RF1200P-PC IXYS MixG360RF1200P-PC 98.4107
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - MixG360 - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 28 - - -
IXTA110N055T2-TRL IXYS IXTA110N055T2-TRL 1.8685
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA110 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA110N055T2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 110A (TC) 10V 6.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3060 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXTP76N25TM IXYS IXTP76N25TM 3.9398
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IXTP76 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTP76N25TM 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 76A (TC) 10V 44mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 4920 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXYK120N120B3 IXYS IXYK120N120B3 30.9676
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXYK120 기준 1500 W. TO-264 (IXYK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXYK120N120B3 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 100A, 1ohm, 15V 54 ns Pt 1200 v 320 a 800 a 2.2V @ 15V, 100A 9.7mj (on), 21.5mj (OFF) 400 NC 30ns/340ns
IXA20I1200PZ-TRL IXYS IXA20I1200PZ-TRL 3.7616
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 ixys XPT ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXA20I1200 기준 165 w TO-263HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXA20I1200PZ-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 600V, 15A, 56OHM, 15V Pt 1200 v 38 a 2.1V @ 15V, 15a 1.6mj (on), 1.7mj (OFF) 47 NC 48ns/230ns
IXFA22N65X2-TRL IXYS ixfa22n65x2-trl 5.8800
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA22 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXFA22N65X2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 145mohm @ 11a, 10V 5V @ 1.5MA 37 NC @ 10 v ± 30V 2190 pf @ 25 v - 390W (TC)
IXTY26P10T-TRL IXYS IXTY26P10T-TRL 2.0793
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY26 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY26P10T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 26A (TC) 10V 90mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 15V 3820 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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