SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXGX120N60B IXYS IXGX120N60B -
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXGX120 기준 660 W. Plus247 ™ -3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q2675300 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 100A, 2.4OHM, 15V Pt 600 v 200a 300 a 2.1V @ 15V, 120A 2.4mj (on), 5.5mj (OFF) 350 NC 60ns/200ns
FMP26-02P IXYS FMP26-02p -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FMP26 MOSFET (금속 (() 125W Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 FMP2602P 귀 99 8541.29.0095 25 n 및 p 채널 200V 26a, 17a 60mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 70NC @ 10V 2720pf @ 25V -
IXBK75N170 IXYS IXBK75N170 65.5000
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXBK75 기준 1040 w TO-264AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 1.5 µs - 1700 v 200a 580 a 3.1V @ 15V, 75A - 350 NC -
IXFP6N120P IXYS ixfp6n120p 10.2300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP6N120 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfp6n120p 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 6A (TC) 10V 2.4ohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 92 NC @ 10 v ± 30V 2830 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXGT72N60A3 IXYS IXGT72N60A3 11.9200
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT72 기준 540 W. TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 50a, 3ohm, 15V Pt 600 v 75 a 400 a 1.35V @ 15V, 60A 1.38mj (on), 3.5mj (OFF) 230 NC 31ns/320ns
IXTN110N20L2 IXYS IXTN110N20L2 52.3300
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN110 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 100A (TC) 10V 24mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 3MA 500 NC @ 10 v ± 20V 23000 pf @ 25 v - 735W (TC)
IXGH90N60B3 IXYS IXGH90N60B3 -
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH90 기준 660 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 60A, 2OHM, 15V Pt 600 v 75 a 500 a 1.8V @ 15V, 90A 1.32mj (on), 1.37mj (OFF) 172 NC 31ns/150ns
IXGT32N170-TRL IXYS IXGT32N170-TRL 24.4600
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT32 기준 350 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 1020v, 32a, 2.7ohm, 15v NPT 1700 v 75 a 200a 3.3V @ 15V, 32A 11mj (OFF) 155 NC 45ns/270ns
IXFN150N15 IXYS IXFN150N15 -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN150 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q3181657 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 150 v 150A (TC) 10V 12.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 8MA 360 NC @ 10 v ± 20V 9100 pf @ 25 v - 600W (TC)
IXBH10N170 IXYS IXBH10N170 11.7400
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXBH10 기준 140 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXBH10N170 귀 99 8541.29.0095 30 1360V, 10A, 56OHM, 15V 360 ns - 1700 v 20 a 40 a 3.8V @ 15V, 10A 6MJ (OFF) 30 NC 35NS/500NS
IXEH25N120 IXYS IXEH25N120 -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXEH25 기준 200 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 68ohm, 15V NPT 1200 v 36 a 3.2V @ 15V, 25A 4.1mj (on), 1.5mj (OFF) 100 NC -
FID35-06C IXYS FID35-06C -
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FID35 기준 125 w Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 300V, 25A, 10ohm, 15V 50 ns NPT 600 v 38 a 2.4V @ 15V, 25A 1.1mj (on), 600µJ (OFF) 140 NC -
VWI3X20-06P1 IXYS vwi3x20-06p1 -
RFQ
 ECAD 7686 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 섀시 섀시 Eco-PAC1 VWI 기준 Eco-PAC1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - - 600 v 20 a - 아니요
IXGT30N60B2D1 IXYS IXGT30N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT30 기준 190 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 5ohm, 15V 25 ns Pt 600 v 70 a 150 a 1.8V @ 15V, 24A 320µJ (OFF) 66 NC 13ns/110ns
IXGT32N90B2 IXYS IXGT32N90B2 -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT32 기준 300 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 720v, 32a, 5ohm, 15v Pt 900 v 64 a 200a 2.7V @ 15V, 32A 2.6MJ (OFF) 89 NC 20ns/260ns
IXGT40N60C2 IXYS IXGT40N60C2 -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT40 기준 300 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3OHM, 15V Pt 600 v 75 a 200a 2.7V @ 15V, 30A 200µJ (OFF) 95 NC 18ns/90ns
IXGT60N60 IXYS IXGT60N60 -
RFQ
 ECAD 4389 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT60 기준 300 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 60A, 2.7OHM, 15V Pt 600 v 75 a 200a 1.7V @ 15V, 60A 8mj (OFF) 130 NC 50ns/300ns
IXGT6N170 IXYS IXGT6N170 6.6100
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT6 기준 75 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXGT6N170 귀 99 8541.29.0095 30 1360V, 6A, 33OHM, 15V NPT 1700 v 12 a 24 a 4V @ 15V, 6A 1.5mj (OFF) 20 NC 40ns/250ns
IXGX40N120BD1 IXYS IXGX40N120BD1 -
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGX40 기준 ISOPLUS247 ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXSH15N120B IXYS IXSH15N120B -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXSH15 기준 150 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 15a, 10ohm, 15V Pt 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V, 15a 1.5mj (OFF) 57 NC 30ns/148ns
IXSH45N100 IXYS IXSH45N100 -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXSH45 기준 300 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 45A, 2.7OHM, 15V - 1000 v 75 a 180 a 2.7V @ 15V, 45A 15mj (Off) 165 NC 80ns/400ns
IXSH50N60B IXYS IXSH50N60B -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixsh50 기준 250 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 2.7OHM, 15V Pt 600 v 75 a 200a 2.5V @ 15V, 50A 3.3mj (OFF) 167 NC 70ns/150ns
IXSK30N60CD1 IXYS IXSK30N60CD1 -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXSK30 기준 200 w TO-264AA (IXSK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480V, 30A, 4.7OHM, 15V 50 ns - 600 v 55 a 110 a 2.5V @ 15V, 30A 700µJ (OFF) 100 NC 30ns/90ns
IXTA76N075T IXYS IXTA76N075T -
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA76 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 76A (TC) 10V 12MOHM @ 25A, 10V 4V @ 50µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2580 pf @ 25 v - 176W (TC)
MUBW20-06A6K IXYS mubw20-06a6k -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 mubw20 85 w 3 정류기 정류기 브리지 E1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 25 a 2.4V @ 15V, 15a 600 µA 예 800 pf @ 25 v
MUBW35-06A6 IXYS MUBW35-06A6 -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 무드 104 w 3 정류기 정류기 브리지 E1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 38 a 2.5V @ 15V, 30A 1 MA 예 1.6 NF @ 25 v
MUBW35-12A7 IXYS MUBW35-12A7 -
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 mubw35 225 w 3 정류기 정류기 브리지 E2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 1200 v 50 a 3.1V @ 15V, 35A 1.1 MA 예 1.65 NF @ 25 v
MUBW6-06A6 IXYS mubw6-06a6 -
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 mubw6 38 w 3 정류기 정류기 브리지 E1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 7 a 2.5V @ 15V, 4A 10 µA 예 340 pf @ 25 v
MWI50-12E6K IXYS MWI50-12E6K -
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 MWI50 210 W. 기준 E1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1200 v 51 a 2.9V @ 15V, 35A 300 µA 예 2 NF @ 25 v
VDI125-12P1 IXYS VDI125-12P1 -
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 VDI 568 w 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 하나의 NPT 1200 v 138 a 3.4V @ 15V, 125A 5 MA 예 5.5 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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