SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXTA80N10T7 IXYS IXTA80N10T7 -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA80 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 100µa 60 nc @ 10 v ± 30V 3040 pf @ 25 v - 230W (TC)
FID60-06D IXYS FID60-06D -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 fid60 기준 200 w Isoplus i4-Pac ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 300V, 30A, 22ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 65 a 2V @ 15V, 30A 1mj (on), 1.4mj (OFF) 120 NC -
IXXP50N60B3 IXYS IXXP50N60B3 7.6221
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXXP50 기준 600 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 360v, 36a, 5ohm, 15V 40 ns - 600 v 120 a 200a 1.8V @ 15V, 36A 670µJ (on), 1.2mj (OFF) 70 NC 27ns/150ns
IXFK27N80Q IXYS IXFK27N80Q 30.2600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK27 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 27A (TC) 10V 320mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 500W (TC)
MDI200-12A4 IXYS MDI200-12A4 -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-DCB MDI200 1130 w 기준 Y3-DCB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 NPT 1200 v 270 a 2.7V @ 15V, 150A 10 MA 아니요 11 nf @ 25 v
IXTF1N250 IXYS IXTF1N250 59.0700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXTF1 MOSFET (금속 (() Isoplus i4-Pac ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q7319967a 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 2500 v 1A (TC) 10V 40ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 25 v - 110W
MWI200-06A8 IXYS MWI200-06A8 -
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E3 MWI200 675 w 기준 E3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q2725163 귀 99 8541.29.0095 5 3 단계 인버터 NPT 600 v 225 a 2.5V @ 15V, 200a 1.8 MA 아니요 9 nf @ 25 v
IXTK33N50 IXYS IXTK33N50 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK33 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 33A (TC) 10V 170mohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 416W (TC)
IXGH12N60C IXYS IXGH12N60C -
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 ixys Hiperfast ™, Lightspeed ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH12 기준 100 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480v, 12a, 18ohm, 15v - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V, 12a 90µJ (OFF) 32 NC 20ns/60ns
IXST15N120B IXYS IXST15N120B -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXST15 기준 150 W. TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 15a, 10ohm, 15V Pt 1200 v 30 a 60 a 3.4V @ 15V, 15a 1.5mj (OFF) 57 NC 30ns/148ns
IXTP02N50D IXYS IXTP02N50D 6.9200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP02 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTP02N50D 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 200MA (TC) 10V 30ohm @ 50ma, 0v 5V @ 25µA ± 20V 120 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.1W (TA), 25W (TC)
IXTT26N60P IXYS IXTT26N60p 10.2237
RFQ
 ECAD 5941 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT26 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 270mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXFN44N50 IXYS IXFN44N50 22.4530
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN44 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFN44N50-NDR 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 120mohm @ 500ma, 10V 4V @ 8MA 270 nc @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 25 v - 520W (TC)
IXTA200N075T IXYS IXTA200N075T -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA200 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 200a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 430W (TC)
IXGT12N120A2D1 IXYS IXGT12N120A2D1 -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT12 기준 TO-268AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXFX150N15 IXYS IXFX150N15 15.3847
RFQ
 ECAD 2984 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX150 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 150A (TC) 10V 12.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 8MA 360 NC @ 10 v ± 20V 9100 pf @ 25 v - 560W (TC)
IXXH30N65C4D1 IXYS IXXH30N65C4D1 -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 ixys XPT ™, GenX4 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXXH30 기준 230 w TO-247AD (IXXH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 15ohm, 15V 72 ns - 650 v 62 a 136 a 2.5V @ 15V, 30A 1.1mj (on), 400µJ (OFF) 47 NC 20ns/140ns
IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2 35.6000
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB150 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 150A (TC) 10V 17mohm @ 75a, 10V 5.5V @ 8mA 430 nc @ 10 v ± 30V 20400 pf @ 25 v - 1560W (TC)
IXTK17N120L IXYS IXTK17N120L 46.4000
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK17 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTK17N120L 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 1200 v 17A (TC) 20V 900mohm @ 8.5a, 20V 5V @ 250µA 155 nc @ 15 v ± 30V 8300 pf @ 25 v - 700W (TC)
IXFX27N80Q IXYS IXFX27N80Q 27.4000
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX27 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 27A (TC) 10V 320mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTR90P20P IXYS ixtr90p20p 20.5440
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR90 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 200 v 53A (TC) 10V 48mohm @ 45a, 10V 4V @ 1MA 205 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 25 v - 312W (TC)
MWI150-06A8T IXYS MWI150-06A8T -
RFQ
 ECAD 2921 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 섀시 섀시 E3 MWI150 515 w 기준 E3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 3 단계 인버터 NPT 600 v 170 a 2.5V @ 15V, 150A 1.5 MA 아니요 6.5 NF @ 25 v
IXFH94N30T IXYS IXFH94N30T 12.9570
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH94 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 94A (TC) 10V 36mohm @ 47a, 10V 5V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 11400 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXGM25N100A IXYS IXGM25N100A -
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE IXGM25 기준 200 w TO-204AE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 800V, 25A, 33OHM, 15V 200 ns - 1000 v 50 a 100 a 4V @ 15V, 25A 5MJ (OFF) 180 NC 100ns/500ns
IXGP7N60B IXYS IXGP7N60B -
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXGP7 기준 54 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 7A, 22OHM, 15V Pt 600 v 14 a 30 a 2V @ 15V, 7A 70µJ (on), 300µJ (OFF) 25 NC 9ns/100ns
IXFR55N50 IXYS IXFR55N50 -
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR55 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 48A (TC) 10V 90mohm @ 27.5a, 10V 4.5V @ 8mA 330 nc @ 10 v ± 20V 9400 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXTT20N50D IXYS IXTT20N50D -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT20 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 330mohm @ 10a, 10V 3.5v @ 250ma 125 nc @ 10 v ± 30V 2500 pf @ 25 v 고갈 고갈 400W (TC)
IXFT24N50 IXYS IXFT24N50 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT24 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 24A (TC) 10V 230mohm @ 12a, 10V 4V @ 4MA 160 nc @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXYH30N65C3H1 IXYS ixyh30n65c3h1 8.1991
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH30 기준 270 W. TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 120 ns Pt 650 v 60 a 118 a 2.7V @ 15V, 30A 1mj (on), 270µj (OFF) 44 NC 21ns/75ns
IXFA14N60P IXYS IXFA14N60p 5.2200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA14 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10V 5.5V @ 2.5MA 36 nc @ 10 v ± 30V 2500 pf @ 25 v - 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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