| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 테스트 조건 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT80N65X2HV-TRL | 11.8738 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT80 | MOSFET(금속) | TO-268HV(IXFT) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 238-IXFT80N65X2HV-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 650V | 80A(Tc) | 10V | 38m옴 @ 40A, 10V | 5V @ 4mA | 140nC @ 10V | ±30V | 8300pF @ 25V | - | 890W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXTQ30N50P | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | 익시스 | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ30 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 500V | 30A(Tc) | 10V | 200m옴 @ 15A, 10V | 5V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±30V | 25V에서 4150pF | - | 460W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXXX100N60C3H1 | 23.3537 | ![]() | 3505 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™, XPT™ | 튜브 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXXX100 | 기준 | 695W | PLUS247™-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 360V, 70A, 2옴, 15V | 140ns | PT | 600V | 170A | 340A | 2.2V @ 15V, 70A | 2mJ(켜짐), 950μJ(꺼짐) | 150nC | 30ns/90ns | ||||||||||||||
![]() | IXYP10N65C3D1 | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™, XPT™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IXYP10 | 기준 | 160W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10A, 50옴, 15V | 170ns | PT | 650V | 30A | 54A | 2.5V @ 15V, 10A | 240μJ(켜짐), 110μJ(꺼짐) | 18nC | 20ns/77ns | ||||||||||||||
![]() | IXGR60N60U1 | - | ![]() | 1749년 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXGR60 | 기준 | 300W | ISOPLUS247™ | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 60A, 2.7옴, 15V | - | 600V | 75A | 200A | 1.7V @ 15V, 60A | 16mJ(꺼짐) | 200nC | 50ns/600ns | ||||||||||||||||
![]() | IXFR32N80P | 1963년 16월 | ![]() | 7752 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFR32 | MOSFET(금속) | ISOPLUS247™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 20A(TC) | 10V | 290m옴 @ 16A, 10V | 5V @ 8mA | 150nC @ 10V | ±30V | 8800pF @ 25V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXFX26N90 | 18.8423 | ![]() | 8647 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXFX26 | MOSFET(금속) | PLUS247™-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 900V | 26A(TC) | 10V | 300m옴 @ 13A, 10V | 5V @ 8mA | 240nC @ 10V | ±20V | 10800pF @ 25V | - | 560W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXGP20N120A3 | 6.9200 | ![]() | 4644 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IXGP20 | 기준 | 180W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 960V, 20A, 10옴, 15V | PT | 1200V | 40A | 120A | 2.5V @ 15V, 20A | 2.85mJ(켜짐), 6.47mJ(꺼짐) | 50nC | 16ns/290ns | |||||||||||||||
![]() | IXBF40N160 | 25.4324 | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 익시스 | BIMOSFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | i4-Pac™-5(리드 3개) | IXBF40 | 기준 | 250W | ISOPLUS i4-PAC™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 25A, 22옴, 15V | - | 1600V | 28A | 7.1V @ 15V, 20A | - | 130nC | - | ||||||||||||||||
![]() | IXGH15N120BD1 | - | ![]() | 9196 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXGH15 | 기준 | 150W | TO-247AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 15A, 10옴, 15V | 40ns | - | 1200V | 30A | 60A | 3.2V @ 15V, 15A | 1.75mJ(꺼짐) | 69nC | 25ns/150ns | |||||||||||||||
![]() | MMIX1X200N60B3 | 41.4210 | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™, XPT™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 24-PowerSMD, 21리드 | MMIX1X200 | 기준 | 625W | 24-SMPD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 360V, 100A, 1옴, 15V | PT | 600V | 223A | 1000A | 1.7V @ 15V, 100A | 2.85mJ(켜짐), 2.9mJ(꺼짐) | 315nC | 48ns/160ns | |||||||||||||||
![]() | IXST15N120B | - | ![]() | 1885년 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXST15 | 기준 | 150W | TO-268AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 15A, 10옴, 15V | PT | 1200V | 30A | 60A | 3.4V @ 15V, 15A | 1.5mJ(꺼짐) | 57nC | 30ns/148ns | ||||||||||||||||
| IXGA48N60C3-TRL | 3.1631 | ![]() | 8261 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IXGA48 | 기준 | 300W | TO-263(D2Pak) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 238-IXGA48N60C3-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 30A, 3옴, 15V | 26ns | PT | 600V | 75A | 250A | 2.5V @ 15V, 30A | 410μJ(켜짐), 230μJ(꺼짐) | 77nC | 19ns/60ns | |||||||||||||||
![]() | IXFP13N60X3 | 3.4206 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 활동적인 | IXFP13 | - | 238-IXFP13N60X3 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTP180N085T | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치MV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IXTP180 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 85V | 180A(Tc) | 10V | 5.5m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7500pF | - | 430W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXTQ200N06P | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | 익시스 | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ200 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 60V | 200A(Tc) | 10V | 5m옴 @ 400A, 15V | 5V @ 250μA | 200nC @ 10V | ±20V | 5400pF @ 25V | - | 714W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXBF50N360 | 110.4140 | ![]() | 8557 | 0.00000000 | 익시스 | BIMOSFET™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | i4-Pac™-5(리드 3개) | IXBF50 | 기준 | 290W | ISOPLUS i4-PAC™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 50A, 5옴, 15V | 1.7μs | - | 3600V | 70A | 420A | 2.9V @ 15V, 50A | - | 210nC | 46ns/205ns | ||||||||||||||
| IXFP30N25X3M | 6.8500 | ![]() | 288 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X3 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | IXFP30 | MOSFET(금속) | TO-220 단자탭 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | -IXFP30N25X3M | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 30A(Tc) | 10V | 60m옴 @ 15A, 10V | 500μA에서 4.5V | 21nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1450pF | - | 36W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXFH150N25X3HV | - | ![]() | 4108 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X3 | 튜브 | 활동적인 | - | - | - | IXFH150 | - | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | - | - | - | ±20V | - | - | ||||||||||||||||||
| IXTA110N055T | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치MV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA110 | MOSFET(금속) | TO-263AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 110A(TC) | 10V | 7m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 100μA | 67nC @ 10V | ±20V | 3080pF @ 25V | - | 230W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXFN44N100P | 44.9200 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | SOT-227-4, 미니블록 | IXFN44 | MOSFET(금속) | SOT-227B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | -IXFN44N100P | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N채널 | 1000V | 37A (Tc) | 10V | 220m옴 @ 22A, 10V | 6.5V @ 1mA | 305nC @ 10V | ±30V | 19000pF @ 25V | - | 890W(Tc) | |||||||||||||
![]() | IXFH88N30P | 14.8700 | ![]() | 1809년 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH88 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 300V | 88A(Tc) | 10V | 40m옴 @ 44A, 10V | 5V @ 4mA | 180nC @ 10V | ±20V | 6300pF @ 25V | - | 600W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXYN120N65C3D1 | - | ![]() | 3169 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™, XPT™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 방역 | SOT-227-4, 미니블록 | IXYN120 | 기준 | 830W | SOT-227B | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 238-IXYN120N65C3D1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 400V, 50A, 2옴, 15V | 29ns | PT | 650V | 190A | 620A | 2.8V @ 15V, 100A | 1.25mJ(켜짐), 500μJ(꺼짐) | 265nC | 28ns/127ns | ||||||||||||||
| IXFA130N10T2-TRL | 3.5036 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, TrenchT2™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA130 | MOSFET(금속) | TO-263(D2Pak) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 238-IXFA130N10T2-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 130A(Tc) | 10V | 10.1m옴 @ 65A, 10V | 4.5V @ 1mA | 130nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6600pF | - | 360W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXXX200N60B3 | 25.6400 | ![]() | 2502 | 0.00000000 | 익시스 | XPT™, GenX3™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXXX200 | 기준 | 1630W | PLUS247™-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 360V, 100A, 1옴, 15V | 100ns | - | 600V | 380A | 900A | 1.7V @ 15V, 100A | 2.85mJ(켜짐), 4.4mJ(꺼짐) | 315nC | 48ns/160ns | ||||||||||||||
![]() | IXTQ230N085T | - | ![]() | 5826 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치MV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ230 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 85V | 230A(Tc) | 10V | 4.4m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 187nC @ 10V | ±20V | 9900pF @ 25V | - | 550W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFH8N80 | - | ![]() | 1977년 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH8 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 8A(TC) | 10V | 1.1옴 @ 4A, 10V | 4.5V @ 2.5mA | 130nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2600pF | - | 180W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXTQ74N15T | - | ![]() | 5488 | 0.00000000 | 익시스 | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ74 | MOSFET(금속) | TO-3P | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 150V | 74A (Tc) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| IXTA48P05T-TRL | 2.8547 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치P™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA48 | MOSFET(금속) | TO-263(D2Pak) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 238-IXTA48P05T-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 50V | 48A(TC) | 10V | 30m옴 @ 24A, 10V | 250μA에서 4.5V | 53nC @ 10V | ±15V | 3660pF @ 25V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFX90N60X | 18.3363 | ![]() | 6337 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXFX90 | MOSFET(금속) | PLUS247™-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 90A(Tc) | 10V | 38m옴 @ 45A, 10V | 4.5V @ 8mA | 210nC @ 10V | ±30V | 8500pF @ 25V | - | 1100W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

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