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트랜지스터(3903)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C
IXTR48P20P IXYS IXTR48P20P 14.3800
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 ECAD 3979 0.00000000 익시스 PolarP™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXTR48 MOSFET(금속) ISOPLUS247™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 P채널 200V 30A(Tc) 10V 93m옴 @ 24A, 10V 250μA에서 4.5V 103nC @ 10V ±20V 5400pF @ 25V - 190W(Tc)
IXGH15N120BD1 IXYS IXGH15N120BD1 -
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 ECAD 9196 0.00000000 익시스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXGH15 기준 150W TO-247AD 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 960V, 15A, 10옴, 15V 40ns - 1200V 30A 60A 3.2V @ 15V, 15A 1.75mJ(꺼짐) 69nC 25ns/150ns
IXBF40N160 IXYS IXBF40N160 25.4324
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 ECAD 7810 0.00000000 익시스 BIMOSFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 i4-Pac™-5(리드 3개) IXBF40 기준 250W ISOPLUS i4-PAC™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 960V, 25A, 22옴, 15V - 1600V 28A 7.1V @ 15V, 20A - 130nC -
LGD8201TH IXYS LGD8201TH -
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 ECAD 8093 0.00000000 익시스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 논리 125W DPAK - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 238-LGD8201THTR EAR99 8541.29.0095 2,500 - - 440V 20A 50A 1.9V @ 4.5V, 20A - -
IXTQ30N50P IXYS IXTQ30N50P -
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 ECAD 1152 0.00000000 익시스 극선 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ30 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 500V 30A(Tc) 10V 200m옴 @ 15A, 10V 5V @ 250μA 70nC @ 10V ±30V 25V에서 4150pF - 460W(Tc)
IXGH48N60C3C1 IXYS IXGH48N60C3C1 -
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 ECAD 9427 0.00000000 익시스 GenX3™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXGH48 기준 300W TO-247AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3옴, 15V PT 600V 75A 250A 2.5V @ 15V, 30A 330μJ(켜짐), 230μJ(꺼짐) 77nC 19ns/60ns
IXFT69N30P IXYS IXFT69N30P 11.3667
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 ECAD 3671 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 극성 상자 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT69 MOSFET(금속) TO-268AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 300V 69A(Tc) 10V 49m옴 @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 180nC @ 10V ±20V 4960pF @ 25V - 500W(Tc)
IXGT12N120A2D1 IXYS IXGT12N120A2D1 -
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 ECAD 9347 0.00000000 익시스 - 튜브 활동적인 - 표면 실장 TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT12 기준 TO-268AA - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 - - 1200V - - -
IXFR32N80P IXYS IXFR32N80P 1963년 16월
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 ECAD 7752 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 극성 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXFR32 MOSFET(금속) ISOPLUS247™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 800V 20A(TC) 10V 290m옴 @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150nC @ 10V ±30V 8800pF @ 25V - 300W(Tc)
MMIX1F44N100Q3 IXYS MMIX1F44N100Q3 50.8870
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 ECAD 6104 0.00000000 익시스 HiPerFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 24-PowerSMD, 21리드 MMIX1F44 MOSFET(금속) 24-SMPD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 20 N채널 1000V 30A(Tc) 10V 245m옴 @ 22A, 10V 6.5V @ 8mA 264nC @ 10V ±30V 13600pF @ 25V - 694W(Tc)
IXTT6N120-TRL IXYS IXTT6N120-TRL 9.7655
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 ECAD 5996 0.00000000 익시스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT6 MOSFET(금속) TO-268 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 238-IXTT6N120-TRLTR EAR99 8541.29.0095 400 N채널 1200V 6A(TC) 10V 2.6옴 @ 3A, 10V 5V @ 250μA 56nC @ 10V ±20V 1950pF @ 25V - 300W(Tc)
IXGX35N120BD1 IXYS IXGX35N120BD1 -
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 ECAD 7116 0.00000000 익시스 HiPerFAST™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 변형 IXGX35 기준 350W PLUS247™-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 960V, 35A, 5옴, 15V 60ns - 1200V 70A 140A 3.3V @ 15V, 35A 3.8mJ(꺼짐) 170nC 50ns/180ns
IXGR60N60U1 IXYS IXGR60N60U1 -
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 ECAD 1749년 0.00000000 익시스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXGR60 기준 300W ISOPLUS247™ 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 480V, 60A, 2.7옴, 15V - 600V 75A 200A 1.7V @ 15V, 60A 16mJ(꺼짐) 200nC 50ns/600ns
IXXX100N60C3H1 IXYS IXXX100N60C3H1 23.3537
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 ECAD 3505 0.00000000 익시스 GenX3™, XPT™ 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-247-3 변형 IXXX100 기준 695W PLUS247™-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 360V, 70A, 2옴, 15V 140ns PT 600V 170A 340A 2.2V @ 15V, 70A 2mJ(켜짐), 950μJ(꺼짐) 150nC 30ns/90ns
IXYP10N65C3D1 IXYS IXYP10N65C3D1 -
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 ECAD 4184 0.00000000 익시스 GenX3™, XPT™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IXYP10 기준 160W TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 50옴, 15V 170ns PT 650V 30A 54A 2.5V @ 15V, 10A 240μJ(켜짐), 110μJ(꺼짐) 18nC 20ns/77ns
IXFH80N15Q IXYS IXFH80N15Q -
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 ECAD 2631 0.00000000 익시스 HiPerFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXFH80 MOSFET(금속) TO-247AD (IXFH) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 150V 80A(Tc) 10V 22.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180nC @ 10V ±20V 25V에서 4500pF - 360W(Tc)
IXTV22N60PS IXYS IXTV22N60PS -
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 ECAD 9001 0.00000000 익시스 PolarHV™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PLUS-220SMD IXTV22 MOSFET(금속) PLUS-220SMD 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 22A(TC) 10V 350m옴 @ 11A, 10V 250μA에서 5.5V 62nC @ 10V ±30V 3600pF @ 25V - 400W(Tc)
IXGP20N120A3 IXYS IXGP20N120A3 6.9200
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 ECAD 4644 0.00000000 익시스 GenX3™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IXGP20 기준 180W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 960V, 20A, 10옴, 15V PT 1200V 40A 120A 2.5V @ 15V, 20A 2.85mJ(켜짐), 6.47mJ(꺼짐) 50nC 16ns/290ns
IXFP30N25X3M IXYS IXFP30N25X3M 6.8500
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 ECAD 288 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 울트라 X3 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 IXFP30 MOSFET(금속) TO-220 단자탭 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. -IXFP30N25X3M EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(Tc) 10V 60m옴 @ 15A, 10V 500μA에서 4.5V 21nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 36W(Tc)
IXBF50N360 IXYS IXBF50N360 110.4140
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 ECAD 8557 0.00000000 익시스 BIMOSFET™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 i4-Pac™-5(리드 3개) IXBF50 기준 290W ISOPLUS i4-PAC™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 960V, 50A, 5옴, 15V 1.7μs - 3600V 70A 420A 2.9V @ 15V, 50A - 210nC 46ns/205ns
IXFN44N100P IXYS IXFN44N100P 44.9200
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 ECAD 8476 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 극성 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 방역 SOT-227-4, 미니블록 IXFN44 MOSFET(금속) SOT-227B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. -IXFN44N100P EAR99 8541.29.0095 10 N채널 1000V 37A (Tc) 10V 220m옴 @ 22A, 10V 6.5V @ 1mA 305nC @ 10V ±30V 19000pF @ 25V - 890W(Tc)
IXFH88N30P IXYS IXFH88N30P 14.8700
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 ECAD 1809년 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 극성 상자 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXFH88 MOSFET(금속) TO-247AD (IXFH) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 300V 88A(Tc) 10V 40m옴 @ 44A, 10V 5V @ 4mA 180nC @ 10V ±20V 6300pF @ 25V - 600W(Tc)
IXFX26N90 IXYS IXFX26N90 18.8423
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 ECAD 8647 0.00000000 익시스 HiPerFET™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 변형 IXFX26 MOSFET(금속) PLUS247™-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 900V 26A(TC) 10V 300m옴 @ 13A, 10V 5V @ 8mA 240nC @ 10V ±20V 10800pF @ 25V - 560W(Tc)
IXTH60N10 IXYS IXTH60N10 -
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 ECAD 9638 0.00000000 익시스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXTH60 MOSFET(금속) TO-247 (IXTH) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 100V 60A(Tc) 10V 20m옴 @ 30A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 3200pF @ 25V - 300W(Tc)
IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P 61.8500
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 ECAD 8 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 극성 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 방역 SOT-227-4, 미니블록 IXFN56 MOSFET(금속) SOT-227B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 N채널 900V 56A(티씨) 10V 135m옴 @ 28A, 10V 6.5V @ 3mA 375nC @ 10V ±30V 23000pF @ 25V - 1000W(Tc)
IXGH40N120A2 IXYS IXGH40N120A2 11.4189
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 ECAD 1003 0.00000000 익시스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IXGH40 기준 360W TO-247AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 960V, 40A, 2옴, 15V PT 1200V 75A 160A 2V @ 15V, 40A 15mJ(꺼짐) 136nC 22ns/420ns
IRFP250 IXYS IRFP250 -
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 ECAD 5063 0.00000000 익시스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRFP25 MOSFET(금속) TO-247AD 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 200V 30A(Tc) 10V 85m옴 @ 18A, 10V 4V @ 250μA 140nC @ 10V ±20V 2970pF @ 25V - 190W(Tc)
IXFA26N30X3 IXYS IXFA26N30X3 4.9700
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 ECAD 4901 0.00000000 익시스 HiPerFET™, 울트라 X3 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA26 MOSFET(금속) TO-263AA(IXFA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 300V 26A(TC) 10V 66m옴 @ 13A, 10V 500μA에서 4.5V 22nC @ 10V ±20V 25V에서 1465pF - 170W(Tc)
IXTU55N075T IXYS IXTU55N075T -
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 ECAD 8188 0.00000000 익시스 도랑 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IXTU55 MOSFET(금속) TO-251AA - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 75V 55A(Tc) - 4V @ 25μA - -
IXTA75N10P IXYS IXTA75N10P 5.1900
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 ECAD 300 0.00000000 익시스 극선 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA75 MOSFET(금속) TO-263AA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 75A(Tc) 10V 25m옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 5.5V 74nC @ 10V ±20V 2250pF @ 25V - 360W(Tc)
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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