SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
IXFP4N60P3 IXYS IXFP4N60P3 -
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP4N60 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfp4n60p3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2.2A, 2A, 10V 5V @ 250µA 6.9 NC @ 10 v ± 30V 365 pf @ 25 v - 114W (TC)
IXTA80N075L2 IXYS IXTA80N075L2 13.9200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA80 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTA80N075L2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 357W (TC)
IXFH13N50 IXYS IXFH13N50 -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH13 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 400mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 2.5MA 120 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 180W (TC)
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS GWM160-0055X1-SLSAM -
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 리드 GWM160 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 55V 150a 3.3mohm @ 100a, 10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
IXFT40N30Q IXYS IXFT40N30Q -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT40 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) IXFT40N30Q-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 40A (TC) 10V 80mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 140 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFR80N50P IXYS IXFR80N50P 24.9500
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR80 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 45A (TC) 10V 72mohm @ 40a, 10V 5V @ 8MA 197 NC @ 10 v ± 30V 12700 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTQ160N085T IXYS IXTQ160N085T -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ160 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 85 v 160A (TC) 10V 6ohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXFK90N20 IXYS IXFK90N20 15.3652
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK90 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 IXFK90N20-NDR 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 90A (TC) 10V 23mohm @ 45a, 10V 4V @ 8MA 380 nc @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXTH8P50 IXYS ixth8p50 9.5600
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixth8 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 ixth8p50-ndr 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 500 v 8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXTP32P20T IXYS IXTP32P20T 9.0100
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP32 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 15V 14500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTT26N50P IXYS IXTT26N50P 9.5600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT26 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXFX20N120P IXYS ixfx20n120p 27.7800
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX20 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 20A (TC) 10V 570mohm @ 10a, 10V 6.5V @ 1mA 193 NC @ 10 v ± 30V 11100 pf @ 25 v - 780W (TC)
IXTI10N60P IXYS ixti10n60p -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IXTI10 MOSFET (금속 (() TO-262 (I2PAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 740mohm @ 5a, 10V 5V @ 100µa 32 NC @ 10 v ± 30V 1610 pf @ 25 v - 200W (TC)
VMO550-01F IXYS VMO550-01F -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 상자 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-DCB VMO550 MOSFET (금속 (() Y3-DCB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 n 채널 100 v 590A (TC) 10V 2.1mohm @ 500ma, 10V 6V @ 110ma 2000 NC @ 10 v ± 20V 50000 pf @ 25 v - 2200W (TC)
IXTV30N50PS IXYS IXTV30N50PS -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXTV30 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXFQ23N60Q IXYS IXFQ23N60Q -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 상자 활동적인 - 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFQ23 MOSFET (금속 (() TO-268AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 23A (TC) - - - -
IXFH150N17T IXYS IXFH150N17T -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys Trenchhv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH150 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 175 v 150A (TC) 10V 12MOHM @ 75A, 10V 5V @ 3MA 155 NC @ 10 v ± 30V 9800 pf @ 25 v - 830W (TC)
IXTA180N085T IXYS IXTA180N085T -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA180 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 180A (TC) 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 7500 pf @ 25 v - 430W (TC)
IXA20RG1200DHG-TRR IXYS IXA20RG1200DHG-TRR 12.7242
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-SMD 모듈 IXA20 기준 125 w Isoplus-SMPD ™ .B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 600V, 15A, 56OHM, 15V Pt 1200 v 32 a 2.1V @ 15V, 15a 1.55mj (on), 1.7mj (OFF) 48 NC -
IXTK120N25 IXYS IXTK120N25 -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 ixys 메가모스 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK120 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 120A (TC) 10V 20mohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 360 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 25 v - 730W (TC)
IXFN26N100P IXYS IXFN26N100p 54.3070
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN26 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1000 v 23A (TC) 10V 390mohm @ 13a, 10V 6.5V @ 1mA 197 NC @ 10 v ± 30V 11900 pf @ 25 v - 595W (TC)
IXTY5N50P IXYS IXTY5N50P -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 500 v 4.8A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.4a, 10V 50µA 5.5V 12.6 NC @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 89W (TC)
IXTU55N075T IXYS IXTU55N075T -
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IXTU55 MOSFET (금속 (() TO-251AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 55A (TC) - 4V @ 25µA - -
IXSX35N120BD1 IXYS IXSX35N120BD1 -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXSX35 기준 300 w Plus247 ™ -3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 35A, 5ohm, 15V 40 ns Pt 1200 v 70 a 140 a 3.6V @ 15V, 35A 5MJ (OFF) 120 NC 36ns/160ns
IXTT1N250HV-TRL IXYS IXTT1N250HV-TRL 37.8644
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT1 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXTT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 238-IXTT1N250HV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 2500 v 1.5A (TC) 10V 40ohm @ 750ma, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXTT68P20T IXYS IXTT68P20T 20.6800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT68 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 200 v 68A (TC) 10V 55mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 380 nc @ 10 v ± 15V 33400 pf @ 25 v - 568W (TC)
IXFA34N65X3 IXYS IXFA34N65X3 8.5300
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA34 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXFA34N65X3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10V 5.2v @ 2.5ma 29 NC @ 10 v ± 20V 2025 pf @ 25 v - 446W (TC)
IXFA130N10T IXYS IXFA130N10T 4.2210
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA130 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 9.1MOHM @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 104 NC @ 10 v ± 20V 5080 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTD4N80P-3J IXYS IXTD4N80P-3J -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 ixys Polarhv ™ 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 IXTD4N MOSFET (금속 (() 주사위 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 3.6A (TC) 10V 3.4ohm @ 1.8a, 10V 5.5V @ 100µa 14.2 NC @ 10 v ± 30V 750 pf @ 25 v - 100W (TC)
IXTT88N30P IXYS IXTT88N30P 13.6900
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT88 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixtt88n30p 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 88A (TC) 10V 40mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 25 v - 600W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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