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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXTP130N15X4 | 6.9900 | ![]() | 46 | 0.00000000 | ixys | x4 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP130 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 130A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 70a, 10V | 4.5V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 4770 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXGH100N30C3 | - | ![]() | 1507 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH100 | 기준 | 460 W. | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 200v, 50a, 2ohm, 15v | Pt | 300 v | 75 a | 500 a | 1.85V @ 15V, 100A | 230µJ (on), 520µJ (OFF) | 162 NC | 23ns/105ns | ||||||||||||||||||||
![]() | vii75-12p1 | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Eco-PAC2 | VII | 379 w | 기준 | Eco-PAC2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 반 반 | NPT | 1200 v | 92 a | 3.2V @ 15V, 75A | 3.7 MA | 예 | 3.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | ixty8n65x2 | 2.9800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ixys | x2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | ixty8 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1402-IXTY8N65X2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 800 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IXTQ150N15P | 12.1300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ150 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 150A (TC) | 10V | 13mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 25 v | - | 714W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | VMO580-02F | 181.2500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Y3-LI | VMO580 | MOSFET (금속 (() | Y3-LI | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | n 채널 | 200 v | 580A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 430a, 10V | 4V @ 50MA | 2750 NC @ 10 v | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IXFT7N90Q | - | ![]() | 5932 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT7N90 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 7A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 500ma, 10V | 5V @ 2.5MA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXYL60N450 | 126.3500 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | ixys | XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | isoplusi5-pak ™ | ixyl60 | 기준 | 417 w | isoplusi5-pak ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q9485533 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 60A, 4.7OHM, 15V | - | 4500 v | 90 a | 680 a | 3.3V @ 15V, 60A | - | 366 NC | 55NS/450NS | |||||||||||||||||||
![]() | IXFK230N20T | 26.4300 | ![]() | 3307 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 트렌치 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK230 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 230A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 60a, 10V | 5V @ 8MA | 378 NC @ 10 v | ± 20V | 28000 pf @ 25 v | - | 1670W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXGR50N90B2D1 | - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | ixys | Hiperfast ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGR50 | 기준 | 100 W. | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 720v, 50a, 5ohm, 15v | 200 ns | NPT | 900 v | 40 a | 200a | 2.9V @ 15V, 50A | 4.7mj (OFF) | 135 NC | 20ns/350ns | |||||||||||||||||||
![]() | IXTT12N150HV-TRL | 46.0094 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT12 | MOSFET (금속 (() | TO-268HV (IXTT) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT12N150HV-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 1500 v | 12A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 30V | 3720 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | ixfv22n50ps | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Plus-220SMD | IXFV22 | MOSFET (금속 (() | Plus-220SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 270mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 2.5MA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 2630 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IXRR40N120 | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXRR40 | 기준 | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 1200 v | 45 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IXTP120N04T2 | 2.5796 | ![]() | 7697 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP120 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 6.1mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
IXTA15N50L2 | 14.0500 | ![]() | 238 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA15 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTA15N50L2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 15A (TC) | 10V | 480mohm @ 7.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 123 NC @ 10 v | ± 20V | 4080 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXGL200N60B3 | - | ![]() | 9725 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXGL200 | 기준 | 400 W. | ISOPLUS264 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 300V, 100A, 1ohm, 15V | Pt | 600 v | 150 a | 600 a | 1.5V @ 15V, 100A | 1.6mj (on), 2.9mj (OFF) | 750 NC | 44ns/310ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IXFN72N55Q2 | - | ![]() | 6284 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q2 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN72 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 550 v | 72A (TC) | 10V | 72mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 8MA | 258 NC @ 10 v | ± 30V | 10500 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | |||||||||||||||||||
IXGA48N60A3-TRL | 6.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXGA48 | 기준 | 300 w | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 480V, 32A, 5ohm, 15V | 30 ns | Pt | 600 v | 120 a | 300 a | 1.35V @ 15V, 32A | 950µJ (on), 2.9mj (OFF) | 110 NC | 25ns/334ns | |||||||||||||||||||||
![]() | ixft18n90p | - | ![]() | 5654 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT18 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 18A (TC) | 10V | 600mohm @ 500ma, 10V | 6.5V @ 1mA | 97 NC @ 10 v | ± 30V | 5230 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXTU64N055T | - | ![]() | 9457 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IXTU64 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | - | 4V @ 25µA | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IXKC19N60C5 | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | ixys | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXKC19 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5v @ 1.1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 100 v | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | IXTH30N25L2 | 19.6670 | ![]() | 8977 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH30 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTH30N25L2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 15a, 10V | 4.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 355W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXFX15N100 | - | ![]() | 4473 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX15 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | IXFX15N100-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 15A (TC) | 10V | 700mohm @ 7.5a, 10V | 4.5V @ 4mA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IXGH28N60B3D1 | 8.5300 | ![]() | 123 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH28 | 기준 | 190 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 25 ns | Pt | 600 v | 66 a | 150 a | 1.8V @ 15V, 24A | 340µJ (ON), 650µJ (OFF) | 62 NC | 19ns/125ns | |||||||||||||||||||
IXTA160N04T2 | 4.3500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA160 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTA160N04T2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 4640 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | ixtx32p60p | 21.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Polarp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXTX32 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 600 v | 32A (TC) | 10V | 350mohm @ 16a, 10V | 4V @ 1MA | 196 NC @ 10 v | ± 20V | 11100 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXTK17N120L | 46.4000 | ![]() | 297 | 0.00000000 | ixys | 선의 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXTK17 | MOSFET (금속 (() | TO-264 (IXTK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTK17N120L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 1200 v | 17A (TC) | 20V | 900mohm @ 8.5a, 20V | 5V @ 250µA | 155 nc @ 15 v | ± 30V | 8300 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IXTH24N65X2 | 6.4000 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ixys | x2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH24 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 2060 pf @ 25 v | - | 390W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IXTQ88N15 | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ88 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 88A (TC) | 10V | - | - | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IXFT12N100 | - | ![]() | 9445 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT12 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 12A (TC) | 10V | 1.05ohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고