| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFT18N90P | - | ![]() | 5654 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT18 | MOSFET(금속) | TO-268AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 900V | 18A(TC) | 10V | 600m옴 @ 500mA, 10V | 6.5V @ 1mA | 97nC @ 10V | ±30V | 5230pF @ 25V | - | 540W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXTQ230N085T | - | ![]() | 5826 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치MV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ230 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 85V | 230A(Tc) | 10V | 4.4m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 187nC @ 10V | ±20V | 9900pF @ 25V | - | 550W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXTV22N50PS | - | ![]() | 5092 | 0.00000000 | 익시스 | PolarHV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PLUS-220SMD | IXTV22 | MOSFET(금속) | PLUS-220SMD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 22A(TC) | 10V | 270m옴 @ 11A, 10V | 250μA에서 5.5V | 50nC @ 10V | ±30V | 2630pF @ 25V | - | 350W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXFH8N80 | - | ![]() | 1977년 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH8 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 8A(TC) | 10V | 1.1옴 @ 4A, 10V | 4.5V @ 2.5mA | 130nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2600pF | - | 180W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXGX72N60A3H1 | - | ![]() | 2382 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXGX72 | 기준 | 540W | PLUS247™-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 50A, 3옴, 15V | 140ns | PT | 600V | 75A | 400A | 1.35V @ 15V, 60A | 1.4mJ(켜짐), 3.5mJ(꺼짐) | 230nC | 31ns/320ns | |||||||||||||||
![]() | IXTP36N30T | - | ![]() | 4597 | 0.00000000 | 익시스 | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-220-3 | IXTP36 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 300V | 36A(티씨) | 110m옴 @ 500mA, 10V | - | 70nC @ 10V | 2250pF @ 25V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | FMD15-06KC5 | 19.0600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 익시스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | ISOPLUSi5-Pak™ | FMD15 | MOSFET(금속) | ISOPLUS i4-PAC™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 600V | 15A(Tc) | 10V | 165m옴 @ 12A, 10V | 790μA에서 3.5V | 52nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2000pF | - | - | |||||||||||||||
![]() | IXFC24N50 | - | ![]() | 2811 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | ISOPLUS220™ | IXFC24N50 | MOSFET(금속) | ISOPLUS220™ | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 21A(TC) | 10V | 230m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 4mA | 135nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4200pF | - | 230W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXTL2N470 | 114.3700 | ![]() | 274 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | ISOPLUSi5-Pak™ | IXTL2 | MOSFET(금속) | ISOPLUSi5-Pak™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | -IXTL2N470 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 4700V | 2A(TC) | 10V | 20옴 @ 1A, 10V | 6V @ 250μA | 180nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6860pF | - | 220W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXTP08N50D2 | 2.4900 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | 익시스 | 고갈 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IXTP08 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 800mA(Tc) | - | 4.6옴 @ 400mA, 0V | - | 12.7nC @ 5V | ±20V | 312pF @ 25V | 고갈 모드 | 60W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFK44N50P | 12.7700 | ![]() | 7532 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK44 | MOSFET(금속) | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 612450 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 500V | 44A(Tc) | 10V | 140m옴 @ 22A, 10V | 5V @ 4mA | 98nC @ 10V | ±30V | 25V에서 5440pF | - | 658W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXTR210P10T | 30.4840 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치P™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXTR210 | MOSFET(금속) | ISOPLUS247™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | P채널 | 100V | 195A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 105A, 10V | 250μA에서 4.5V | 740nC @ 10V | ±15V | 69500pF @ 25V | - | 595W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFK300N20X3 | 34.4000 | ![]() | 7596 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X3 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK300 | MOSFET(금속) | TO-264 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 200V | 300A(Tc) | 10V | 4m옴 @ 150A, 10V | 4.5V @ 8mA | 375nC @ 10V | ±20V | 23800pF @ 25V | - | 1250W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFT58N20 | - | ![]() | 6264 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT58 | MOSFET(금속) | TO-268AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 200V | 58A(티씨) | 10V | 40m옴 @ 29A, 10V | 4V @ 4mA | 220nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4400pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFN230N20T | 37.7000 | ![]() | 401 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 트렌치 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 방역 | SOT-227-4, 미니블록 | IXFN230 | MOSFET(금속) | SOT-227B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N채널 | 200V | 220A(Tc) | 10V | 7.5m옴 @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 378nC @ 10V | ±20V | 28000pF @ 25V | - | 1090W(Tc) | |||||||||||||||
| IXTA20N65X | 7.9482 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | 익시스 | 울트라엑스 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA20 | MOSFET(금속) | TO-263AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 20A(TC) | 10V | 210m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 5.5V | 35nC @ 10V | ±30V | 1390pF @ 25V | - | 320W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXTH16N10D2 | 17.4000 | ![]() | 6666 | 0.00000000 | 익시스 | 고갈 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 9대16 | MOSFET(금속) | TO-247 (IXTH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 100V | 16A(티씨) | 0V | 64m옴 @ 8A, 0V | - | 225nC @ 5V | ±20V | 5700pF @ 25V | 고갈 모드 | 830W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFH7N80 | - | ![]() | 1875년 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH7 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | IXFH7N80-NDR | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 7A(TC) | 10V | 1.4옴 @ 3.5A, 10V | 4.5V @ 2.5mA | 130nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2800pF | - | 180W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXGH60N30C3 | - | ![]() | 5887 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXGH60 | 기준 | 300W | TO-247AD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 200V, 30A, 5옴, 15V | - | 300V | 75A | 420A | 1.8V @ 15V, 60A | 150μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) | 101nC | 23ns/108ns | ||||||||||||||||
![]() | IXTQ26P20P | 7.5500 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 익시스 | PolarP™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ26 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | P채널 | 200V | 26A(TC) | 10V | 170m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±20V | 2740pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXTP220N055T | - | ![]() | 6155 | 0.00000000 | 익시스 | 트렌치MV™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IXTP220 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 220A(Tc) | 10V | 4m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 158nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7200pF | - | 430W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | VMM300-03F | - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | Y3-DCB | VMM300 | MOSFET(금속) | 1500W | Y3-DCB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 N채널(듀얼) | 300V | 290A | 8.6m옴 @ 145A, 10V | 4V @ 30mA | 1440nC @ 10V | 40000pF @ 25V | - | |||||||||||||||||
![]() | IXFT30N85XHV | 14.1200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT30 | MOSFET(금속) | TO-268(IXFT) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 850V | 30A(Tc) | 10V | 220m옴 @ 500mA, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 68nC @ 10V | ±30V | 2460pF @ 25V | - | 695W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFH150N30X3 | 20.3100 | ![]() | 1158 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, 울트라 X3 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH150 | MOSFET(금속) | TO-247 (IXTH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 300V | 150A(Tc) | 10V | 8.3m옴 @ 75A, 10V | 4.5V @ 4mA | 177nC @ 10V | ±20V | 25V에서 13100pF | - | 890W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXFH13N80 | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH13 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | IXFH13N80-NDR | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 13A(티씨) | 10V | 800m옴 @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 155nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4200pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | IXFT15N100Q | - | ![]() | 9534 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT15 | MOSFET(금속) | TO-268AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1000V | 15A(Tc) | 10V | 700m옴 @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 170nC @ 5V | ±20V | 25V에서 4500pF | - | 360W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | IXFH12N100Q | - | ![]() | 4568 | 0.00000000 | 익시스 | HiPerFET™, Q 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IXFH12 | MOSFET(금속) | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 1000V | 12A(TC) | 10V | 1.05옴 @ 6A, 10V | 5.5V @ 4mA | 90nC @ 10V | ±20V | 2900pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IXTX32P60P | 21.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 익시스 | PolarP™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 변형 | IXTX32 | MOSFET(금속) | PLUS247™-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | P채널 | 600V | 32A(Tc) | 10V | 350m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 1mA | 196nC @ 10V | ±20V | 25V에서 11100pF | - | 890W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | MMIX1X200N60B3 | 41.4210 | ![]() | 2428 | 0.00000000 | 익시스 | GenX3™, XPT™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 24-PowerSMD, 21리드 | MMIX1X200 | 기준 | 625W | 24-SMPD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 360V, 100A, 1옴, 15V | PT | 600V | 223A | 1000A | 1.7V @ 15V, 100A | 2.85mJ(켜짐), 2.9mJ(꺼짐) | 315nC | 48ns/160ns | ||||||||||||||||
![]() | IXST15N120B | - | ![]() | 1885년 | 0.00000000 | 익시스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA | IXST15 | 기준 | 150W | TO-268AA | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 15A, 10옴, 15V | PT | 1200V | 30A | 60A | 3.4V @ 15V, 15A | 1.5mJ(꺼짐) | 57nC | 30ns/148ns |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고